Ttl y cmos

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Tecnologías
Tecnología TTL Tecnología CMOS Parámetros relevantes Hojas de características Elección de la familia lógica Encapsulados Otras tecnologías
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología TTL
– TTL: Transistor-Transistor Logic – Tensiones de alimentación: GND=0V, +Vcc=5 V – Nivel de tensión de entrada para el 0 lógico:
• VIL(min) = 0V •VIL(max) = 0,8V

– Nivel de tensión de entrada para el 1 lógico:
• VIH(min) = 2V • VIH(max) = 5V
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología TTL
– Nivel de tensión de salida para el 0 lógico:
• VOL(min) = 0V • VOL(max) = 0,4V

– Nivel de tensión de salida para el 1 lógico:
• VOH(min) = 2,4V • VOH(max) = 5V

Fernando Beltrán

Dpto.Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología TTL
5V VIH(max) 5V VOH(max) 1 lógico

1 lógico 2,4V 2V No predecible 0,8V 0 lógico 0V VIH(min)

VOH(min) No predecible

VIL(max) VIL(min)

0,4V 0V

0 lógico Niveles de tensión a la salida

VOL(max) VOL(min)

Niveles de tensión a la entrada
Fernando Beltrán

Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

TecnologíasTecnología TTL
– Márgenes de ruido: medida de la inmunidad al ruido de un circuito – VNH= VOH(min) - VIH(min) – VNL= VIL(max) - VOL(max)

Fernando Beltrán

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Tecnologías
Tecnología TTL
5V 5V

VOH(min) VIH(min)

Margen de ruido para el nivel alto

VIL(max) VOL(max) 0V VNH≈0.4V
Fernando Beltrán

Margen de ruido para el nivel bajoVNL≈0.4V
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Tecnología TTL
+VCC

A B S

Puerta NAND
GND
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Tecnología TTL
+VCC

Las dos entradas en nivel alto

H H

OFF
OFF ON ON L (2,4V)

Salida en nivel alto

GND
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TecnologíasTecnología TTL +V

CC

+VCC

Sentido de la intensidad para salida nivel bajo

L

GND
Fernando Beltrán

GND
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Tecnologías
Tecnología TTL +V

CC

+VCC

Sentido de la intensidad para salida nivel alto

H

GND
Fernando Beltrán

GND
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología TTL
+VCC

Resistenciaexterna pull-up

Salida en colector abierto
GND
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Tecnología TTL
+VCC

EN

Salida en alta impedancia

GND
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Tecnologías
Tecnología TTL > Tecnología CMOS Parámetros relevantes Hojas de características Elección de la familia lógica EncapsuladosOtras tecnologías
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología CMOS
– CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor (trans. efecto de campo) – Tensiones de alimentación variables: 0÷VDD – Suponiendo VDD=5V:
• Nivel de tensión de entrada para el 0 lógico:
– VIL(min) = 0V – VIL(max) = 1,5V

• Nivel de tensión de entrada para el 1 lógico:
–VIH(min) = 3,5V – VIH(max) = 5V
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología CMOS
– Suponiendo VDD=5V:
• Nivel de tensión de salida para el 0 lógico:
– VOL(min) = 0V – VOL(max) = 0,1V

• Nivel de tensión de salida para el 1 lógico:
– VOH(min) = 4,9V – VOH(max) = 5V

– Márgenes de ruido: VNH=VNL≈1,4V

Fernando Beltrán

Dpto. Ingeniería Electrónicay Comunicaciones

Tecnologías
Tecnología CMOS
+VDD +VDD

A

S A GND B Inversor CMOS Puerta NAND CMOS GND

S

Fernando Beltrán

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Tecnologías
Tecnología TTL Tecnología CMOS > Parámetros relevantes Hojas de características Elección de la familia lógica Encapsulados Otras tecnologías
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y...
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