Universidad

Nombre: Víctor Tigre
Fecha: 6 de abril de 2012

La Ecuación de la Curva Característica es:

ID=ISSeK∙VDTk-1

ID : corriente del diodoVD : voltaje del diodoISS : corriente de saturacióninversan: es una constante de fabricación. 1para el germanio y 2 para el silicioTk: temperatura kelvin 0K (grados kelvin)K=11600n |

CURVA CARACTERÍSTICA PARA EL DIODO DE SILICIO

GRAFICA N0 1 |DatosTC=5 0Cn = 2ISS = 1nAPasando a grados kelvin seria:Tk = 2730 - TCTk = 2730 – 50 = 2680 | Cálculos:K=11600n=116002=5800ID=ISSeK∙VDTk-1Generamos la siguiente tabla |

VD (V) | 0.1 | 0.2 |0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | 0.75 |
ID (mA) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.05 | 0.44 | 3.79 | 11.21 |

.

VD (V) | 0 | -1 | -5 | -10 | -20 | -30 | -40 | -50 |
ID (nA) | 0 | -0.99 | -1 | -1 | -1 | -1 |-1 | -1 |

.
GRAFICA N0 2 |
DatosTC=25 0C (Ambiente)n = 2ISS = 1nAPasando a grados kelvin seria:Tk = 2730 - TCTk = 2730 – 250 = 2480 | Cálculos:K=11600n=116002=5800ID=ISSeK∙VDTk-1Generamos lasiguiente tabla |

VD (V) | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | 0.75 |
ID (mA) | 0 | 0 | 0 | 0.01 | 0.12 | 1.24 | 12.88 | 41.46 |

.

VD (V) | 0 | -1 | -5 | -10 | -20 | -30 | -40 | -50|
ID (nA) | 0 | -0.99 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 |

.
GRAFICA N0 3 |
DatosTC= 450Cn = 2ISS = 1nAPasando a grados kelvin seria:Tk = 2730 - TCTk = 2730 – 450 = 2280 |Cálculos:K=11600n=116002=5800ID=ISSeK∙VDTk-1Generamos la siguiente tabla |

VD (V) | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | 0.75 |
ID (mA) | 0 | 0 | 0 | 0.03 | 0.33 | 4.25 | 54.14 | 193.14 |

.

VD (V) | 0 | -1| -5 | -10 | -20 | -30 | -40 | -50 |
ID (nA) | 0 | -0.99 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 |

CURVA CARACTERÍSTICA PARA EL DIODO DE GERMANIO

GRAFICA N0 1 |
DatosTC=5 0C (Ambiente)n = 1ISS =10nAPasando a grados kelvin seria:Tk = 2730 - TCTk = 2730 – 50 = 2680 | Cálculos:K=11600n=116001=11600ID=ISSeK∙VDTk-1Generamos la siguiente tabla |

VD (V) | 0 | 0.1 | 0.2 | 0.25 | 0.3 | 0.35 |...