Informe 7
Páginas: 6 (1447 palabras)
Publicado: 9 de febrero de 2016
puse el analisis pero no tengo los valores, hay que conseguir los de KW/L pero a los que les pregunte
lo midieron mal y da un absurdo
Michael Stiben Paredes Barrera
25451575
David Camilo Pérez Beltrán
25451562
Sebastián Gaviria Duque
25451565
El Transistor MOSFET. (Caracterización y
Aplicaciones en Compuertas Lógicas Digitales)
El siguiente texto es una plantilla para pasar el documento a latex
// Donde encuentren el texto encerrado así es donde tienen que escribir // cuando terminen
de escribir borren las dos parejas de blackslash.
Igual trataré de dejar bien claro que es lo que corresponde, para evitar tanto error. Procuren
no borrar el resto del contenido, ya que como saben esta plantilla pasa por un compilador y
por tanto se debe mantener orden con los corchetes y demás. PD: No confundir // con \\, los segundos son comandos del código, dejenlos quietos.
\textbf
{
\textit
{
Abstract
}
This report presents the circuits implemented in the laboratory, the graphs
simulated and the verifications and conclusions made at the end of the seventh laboratory, which had the goal to understand the physical performance of the MOSFET transistor, typify the transistor in
terms of its characteristic curve and finally apply the transistor features for design, implementation
and verification of digital logic circuits.
}
\\
\textbf
{
\textit
{
Index
Terms
}
Circuits
, digital, logic, MOSFET transistor.
}
\section{\normalsize INTRODUCCIÓN}
El transistor MOSFET es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo principio básico es el uso de voltaje entre dos de sus terminales para controlar la corriente en la
terminal restante. Este dispositivo tiene algunas aplicaciones y una de ellas es actuar como
interruptor, la cual se logra al realizar un cambio de corriente de cero a un valor muy grande.
Los objetivos del laboratorio fueron verificar el funcionamiento del transistor como interruptor, caracterizarlo en términos de su curva característica y diseñar ciertos circuitos
para lograr aplicaciones en compuertas digitales.
Para el desarrollo de la práctica, se utilizó un circuito integrado TC4007, el cual está
compuesto de seis transistores de este tipo, en diferentes configuraciones. Su uso se limitó
a uno solo que era como lo demandaba la práctica.
\section{\normalsize MARCO TEÓRICO}El transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico, abreviado MOSFET,
es un dispositivo electrónico cuyo funcionamiento principal es controlar la corriente de una
terminal dado un voltaje aplicado entre las otras dos terminales. Su nombre se debe a que
dicha corriente es controlada gracias a un campo eléctrico aplicado a las superficies
semiconductoras y en dirección a la corriente.
De manera general, un semiconductor es un material que posee una conductividad eléctrica
característica entre los metales y los aislantes. Sin embargo, su explicación yace en la
mecánica cuántica y en la teoría de bandas. Ahora bien, el silicio es el elemento
actualmente más utilizado para materiales semiconductores y pueden ser de dos tipos: p, lo
cual significa que el silicio está dopado con elementos trivalentes y su carga neta es positiva; y n, lo cual significa que el silicio está dopado con elementos pentavalentes y su
carga neta es negativa.
Para el caso del transistor MOSFET, este dispositivo posee una estructura física de canal
del tipo n de enriquecimiento. La base principal de este transistor es un sustrato tipo p con
dos regiones tipo n fuertemente dopadas, la cuales se denominan como source (S) y drain (D). Una capa delgada de dióxido de silicio se ubican en la superficie del sustrato para
cubrir las regiones S y D y para aislar eléctricamente. Adicionalmente, se hacen contactos
metálicos para la región S, D y el sustrato lo cual genera otra región denominada gate (G).
Finalmente, el MOSFET debe su nombre a su estructura física y se trata como un ...
lo midieron mal y da un absurdo
Michael Stiben Paredes Barrera
25451575
David Camilo Pérez Beltrán
25451562
Sebastián Gaviria Duque
25451565
El Transistor MOSFET. (Caracterización y
Aplicaciones en Compuertas Lógicas Digitales)
El siguiente texto es una plantilla para pasar el documento a latex
// Donde encuentren el texto encerrado así es donde tienen que escribir // cuando terminen
de escribir borren las dos parejas de blackslash.
Igual trataré de dejar bien claro que es lo que corresponde, para evitar tanto error. Procuren
no borrar el resto del contenido, ya que como saben esta plantilla pasa por un compilador y
por tanto se debe mantener orden con los corchetes y demás. PD: No confundir // con \\, los segundos son comandos del código, dejenlos quietos.
\textbf
{
\textit
{
Abstract
}
This report presents the circuits implemented in the laboratory, the graphs
simulated and the verifications and conclusions made at the end of the seventh laboratory, which had the goal to understand the physical performance of the MOSFET transistor, typify the transistor in
terms of its characteristic curve and finally apply the transistor features for design, implementation
and verification of digital logic circuits.
}
\\
\textbf
{
\textit
{
Index
Terms
}
Circuits
, digital, logic, MOSFET transistor.
}
\section{\normalsize INTRODUCCIÓN}
El transistor MOSFET es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo principio básico es el uso de voltaje entre dos de sus terminales para controlar la corriente en la
terminal restante. Este dispositivo tiene algunas aplicaciones y una de ellas es actuar como
interruptor, la cual se logra al realizar un cambio de corriente de cero a un valor muy grande.
Los objetivos del laboratorio fueron verificar el funcionamiento del transistor como interruptor, caracterizarlo en términos de su curva característica y diseñar ciertos circuitos
para lograr aplicaciones en compuertas digitales.
Para el desarrollo de la práctica, se utilizó un circuito integrado TC4007, el cual está
compuesto de seis transistores de este tipo, en diferentes configuraciones. Su uso se limitó
a uno solo que era como lo demandaba la práctica.
\section{\normalsize MARCO TEÓRICO}El transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico, abreviado MOSFET,
es un dispositivo electrónico cuyo funcionamiento principal es controlar la corriente de una
terminal dado un voltaje aplicado entre las otras dos terminales. Su nombre se debe a que
dicha corriente es controlada gracias a un campo eléctrico aplicado a las superficies
semiconductoras y en dirección a la corriente.
De manera general, un semiconductor es un material que posee una conductividad eléctrica
característica entre los metales y los aislantes. Sin embargo, su explicación yace en la
mecánica cuántica y en la teoría de bandas. Ahora bien, el silicio es el elemento
actualmente más utilizado para materiales semiconductores y pueden ser de dos tipos: p, lo
cual significa que el silicio está dopado con elementos trivalentes y su carga neta es positiva; y n, lo cual significa que el silicio está dopado con elementos pentavalentes y su
carga neta es negativa.
Para el caso del transistor MOSFET, este dispositivo posee una estructura física de canal
del tipo n de enriquecimiento. La base principal de este transistor es un sustrato tipo p con
dos regiones tipo n fuertemente dopadas, la cuales se denominan como source (S) y drain (D). Una capa delgada de dióxido de silicio se ubican en la superficie del sustrato para
cubrir las regiones S y D y para aislar eléctricamente. Adicionalmente, se hacen contactos
metálicos para la región S, D y el sustrato lo cual genera otra región denominada gate (G).
Finalmente, el MOSFET debe su nombre a su estructura física y se trata como un ...
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