laboratorio3 CIRCUITOS

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS
II
PRACTICA 3
CIRCUITOS BASICOS
Maria Alejandra Lozano, Natalia Tarazona
Universidad Industrial de Santander

I. MEDICION DE RESISTENCIA EN SERIE Y
PARALELO
a) Obtener la potencia consumida por los elementos pasivos.
Tablas datos experimentales parte a)
Voltajes en [V], corrientes en [A] y resistencias en [Ω]

Fig. 1 – Simulación primer circuito.
Se realizó lasimulación con los valores experimentales de las
resistencias y de la fuente tomadas en el laboratorio.
Se puede observar que la potencia de cada elemento en la
simulación es muy parecida a las calculadas experimentalmente.

Potencias de las resistencias:
𝑃 =𝑉∗𝐼

Usando los datos obtenidos en la simulación:

𝑃1 = 2,48 ∗ 2,47 × 10−3 = 6,1256 [𝑚𝑊]

𝑃1 = 6,323[𝑚𝑊]

𝑃2 = 2,49 ∗ 2,48 × 10−3 = 6,1752[𝑚𝑊]

𝑃2 = 6,362[𝑚𝑊]

𝑃3 = 2,48 ∗ 2,48 × 10−3 = 6,1504 [𝑚𝑊]

𝑃3 = 6,387[𝑚𝑊]

𝑃4 = 2,49 ∗ 2,48 × 10−3 = 6,1752 [𝑚𝑊]

𝑃4 = 6,278[𝑚𝑊]
Calculando el error de cada potencia sacada experimentalmente y
de orcad:

Haciendo LIK
Iequivalente= 2,47+2,48=4,95 [mA]
Vfuente=5[v]
Usando ORCAD CAPTURE:

𝑥1−𝑥2

𝜀=|

𝑥1

| ∗ 100% FORMULA (1)

Siendo x1 la potencia sacada con Orcad y x2 la potencia
experimental.

𝜀1 =3,1219%

c) Realizar la toma de voltaje y corriente para el circuito

𝜀2 = 2,9362%

Tabla de datos experimentales parte c)
Voltajes en [Vr.m.s], corrientes en [Ar.m.s] y capacitancias en [F].

𝜀3 = 3,7044%
𝜀4 = 1,6375%
Comparando los datos experimentales con los de la simulación,
mediante el porcentaje de error, nos damos cuenta que este valor da
muy pequeño para cada potencia. Esto nos indica que latoma de
datos fue realizada con éxito.

b) Usando una resistencia equivalente del circuito anterior,
medir la tensión y corriente y comparar los resultados con
los del ítem anterior.
Tabla de datos experimentales parte b)
Voltaje en [V], corriente en [A]
Usando Orcad para simular el circuito:

Comparando el dato experimental de la Iequivalente del punto a y
la corriente experimental del punto b)con la formula (1):
El error en la corriente:
𝜀 = 1,1976%
Lo cual nos dice que la toma de datos fue bien efectuada.
Usando Orcad para realizar el circuito equivalente:

Fig. 3 – Simulación circuito parte c)
NOTA: El valor del voltaje de la fuente tomado experimentalmente
es r.m.s por tanto este se multiplica por √2 para ponerlo en VAMPL
en la simulación.
Todos los valores obtenidos en la simulaciónestán en r.m.s.

Fig. 2 – Simulación del circuito equivalente de la parte a)

La corriente de la simulación es de 5.051 [mA]
La corriente experimental es de 5,01[mA]
Luego comparando la corriente de simulación con la experimental
usando la formula (1), se obtiene un porcentaje de error muy
pequeño de:
𝜀 = 0,8117%

Fig. 4 – Corriente en el capacitor

d) Usando una resistencia equivalente delcircuito anterior,
medir la tensión y corriente y comparar los resultados con
los del ítem anterior.
Tabla de datos experimentales parte d)
Voltaje en [Vr.m.s], corriente en [Ar.m.s]

La corriente en el circuito equivalente es de 6.23[mAr.m.s] y la
corriente equivalente es la misma que pasa por el capacitor en la
parte c) que es de 6,14[mAr.m.s].
Fig. 5 - Voltaje del capacitor
Luego usando la formula(1), el error de la corriente es de:
𝜀 = 1,4446%
El voltaje del capacitor en el circuito equivalente es de
5,23[Vr.m.s] y del capacitor en la parte c) es de 5,2[Vr.m.s].

Fig. 6 – Corriente por R1

Fig.7-Voltaje en R1

Luego usando la formula (1), el error del voltaje del capacitor es
de:
𝜀 = 0,5736%
El voltaje de la resistencia equivalente es de 6.10[Vr.m.s] y el
voltaje total de las resistenciasen la parte c) es de 6.15[Vr.m.s].
Luego usando la formula (1), el error del voltaje de las resistencias
es de:

Fig.8 – Corriente por R2

Fig.9 - Voltaje en R2

Fig.10 - Corriente por R3

Fig.11 - Voltaje en R3

𝜀 = 0.8196%

Fig.14 – Circuito equivalente
Usando Orcad para simular el circuito equivalente se obtuvo como
resultado: (valores en Vr.m.s y Ar.m.s)

Fig.12 - Corriente por R4...