Transistores - marco teórico

Configuración base común          
Para la configuración de base común con transistores PNP y NPN. La terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de esta materia todas las direcciones decorriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.

TRANSISTOR PNP EN BASE COMÚN          TRANSISTOR NPN EN BASE COMÚN
Como puede observarse en la figura la suma de las corrientes IB + IC son elresultado de la corriente de Emisor, como la corriente de entrada es IE y la de salida es IC, la relación (alfa) entre la salida y la entrada es la ganancia de corriente de la configuración Base común, la relación resulta ser aproximada a la unidad, en la práctica se tienen valores de alfa entre  0.95 a 0.99.
En la mayoría de los casos para efectos prácticos suele despreciarse la corriente de basepor ser muy pequeña en comparación con IC e IE y se hace la aproximación IC = IE razón por la cual en la mayoría de los problemas se considera alfa = 1
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base común se requiere de dos conjuntos de características, uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para ellado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada IE contra el voltaje VBE Y el conjunto de características de la salida o colector relaciona la corriente de colector contra el voltaje VCB.

Característica de entrada                  característica de salida
Como se hizo con los diodos semiconductores para efectos de análisis ycálculos, respecto al valor de VD (voltaje de conducción) también se utiliza la aproximación de VBE = 0.2 ó  0.6 según se trate de un transistor de germanio ó silicio respectivamente.
En la región activa la unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor-base se polariza directamente.
En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es laverdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is, para eldiodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor tienen polarización inversa. En la región de saturación, tanto la unión base-colectorcomo la unión  emisor-base están en polarización directa. Este punto se estudiará más a fondo cuando estudiemos el transistor en las regiones de corte y saturación.
Configuración colector común          
La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.Configuración colector común para transistores PNP y NPN
Contrariamente a las de las configuraciones de base común y de  emisor común. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común. Desde un punto de vista de diseño, no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los...