TRANSISTOR EN CORTE Y SATURACION Universidad Politécnica Salesiana Facultad de ingenierías – Carrera de Ingeniería Mecánica Resumen.- En este artículo se analiza las propiedades de corte y saturación del transistor, además se presentan una serie de circuitos para la comprobación de dichas propiedades. Entre los circuitos analizados se encuentran el transistor como interruptor para para activación de un relé y el transistor activado con retardo (temporizador). Palabras claves—, Transistor...
1274 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoInforme de la Práctica#1: Análisis de Corte y Saturación en Transistores Bipolares BJT Laboratorio Electrónica Análoga II, Escuela de Mecatrónica, Facultad de Minas Universidad Nacional de Colombia – Sede Medellín Resumen – En el presente informe analizaremos la operación de los transistores bipolares BJT como interruptores o switches, es decir que bajo ciertas condiciones, el transistor puede ser hacer que se inhiba o suspenda el paso de corriente hacia otras partes de un circuito. El voltaje...
1709 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoIntroducción a la Electrónica Digital Práctico Nro 6 TRANSISTOR TRABAJANDO COMO INTERRUPTOR REGIÓNES DE CORTE Y SATURACIÓN Integrantes: Fernando Torres Mesa Nro: 2 Fecha de Entrega 25/06/09 Tabla de Contenidos 1 Objetivo.................................................................................... Pag 3 2 Fundamento teórico.................................................................... Pag 3 3 Procedimiento.......................................
1155 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoLaboratorio N°3 Transistores. Integrantes: Luis Arancibia Arancibia. Jose Barraza Michelle Carmona. Humberto Diaz Pablo Leon. Profesor Guia: Paulo Toro Olivos. Objetivo del Laboratorio. * Comprobar el principio de funcionamiento de los transistores. * Demostrar que Ic depende de Ib en la zona activa del transistor. * Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación. * Medir el punto Q de operación...
1494 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completo LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA PRACTICA N° 1: LABORATORIO DE TRANSISTORES DE POTENCIA 2N3055 PRESENTADO POR: JHONATAN ALFREDO RODRIGUEZ SALAZAR PRESENTADO A: ING. OVIDIO OSPINO UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA FACULTAD DE INGENIERIA PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA SANTA MARTA DTCH 2014 INTRODUCCION Este laboratorio nos mostrara la forma de trabajar un transistor en corte y saturación controlando una corriente de colector muy grande con una...
538 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo[pic] Informe laboratorio Nº7 “Transistores Bipolares” Nombre: Victor Carrasco Carrera: Telecomunicaciones conectividad y redes Asignatura: Electrónica Aplicada Profesor: Luis Ramos Introducción En éste laboratorio podremos aprender a montar un transistor a partir de una fuente de 20V y unas resistencias. También podremos ver las variaciones de voltajes y corrientes de nuestros base, colector y emisor. Y a ver el funcionamiento de un transistor Bipolar. PREGUNTAS PREVIAS ...
906 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completo Alexander Espinosa Resumen Este laboratorio se realiza para resolver y verificar el análisis obtenido en un circuito formado con un transistor 2n2222 que a lo sumo se quiere verificar la ganancia obtenida en vc=4v, y la configuración con su respectiva configuración que conlleva. Palabras Clave— Abstract— This lab is done for solving and verifying the analysis obtained in a circuit with a transistor formed 2n2222 that at most is to verify the gain on vc = 4v, and their respective...
648 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completolos instrumentos de medida del laboratorio. ➢ Analizar el comportamiento de las compuertas digitales. ➢ Manejar la lógica digital teórica y prácticamente. ➢ Aprender a simular circuitos lógicos MARCO TEÓRICO RECURSOS FÍSICOS Y HUMANOS 1. Guía de Laboratorio 2. Una Protoboard 3. Cable para Conexiones 4. Resistencias 5. Alicate o Cortafrío 6. Un Multímetro 7. Una Fuente 8. Pinzas 9. Transistor 10. Libro ECG 11. Diodo...
501 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo1 quimica Parcial Transistores. Departamento de Ingenier´a El´ ctrica, Electr´ nica y Computaci´ n ı e o o Universidad Nacional de Colombia - Sede Manizales Docente: Oscar Marino D´az Betancurt ı Presentado por : Juan Felipe Hincapie 810506 Alejandro Rua Martinez 810555 01 de febrero del 2012 I. A PLICACION Esta aplicacion es dise˜ ada para detectar el polvo o n el sobrecalentamiendo de la computadora y asi prevenir de algun posible da˜ o.Todo esto es para evitar que el ...
759 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completola masa de ese concreto. MASA UNITARIA: la densidad y cantidad de cada agregado afecta la masa unitaria del concreto en estado fresco. Cuando estos son de muy alta porosidad, la masa unitaria del concreto puede variar dependiendo del grado de saturación de los agregados antes de la mezcla. CONTENIDO DE AIRE: puede ser de dos tipos, atrapado durante el proceso de mezclado, o intencional al agregarle a la mezcla aditivos inclusores de aire. El contenido de aire de un concreto sin agentes inclusores...
1697 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoSUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL. Facultad de Ingeniería en Ciencias de la Tierra. TITULO DE LA PRECTICA: Saturación de Nucleó. PRACTICA: N.- 4 ESTUDIANTE: Luis Fernando Lituma Gossmann. FECHA DE REALIZACION: Viernes, 22 de Noviembre del 2013. FECHA DE ENTREGA: Viernes, 29 de Noviembre del 2013. PARALELO: #2 OBJETIVO. Determinar experimentalmente la porosidad de la roca, por el método de saturación. INTRODUCCION. Para estimar la cantidad de Hidrocarburos en un yacimiento, es necesario determinar...
538 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR DE UNIÓN e e Grupo 3L Objetivo de la práctica : El objetivo de esta práctica es el estudio experimental de un transistor de unión bipolar “npn” de silicio, mediante el cálculo de la ganancia de voltaje del colector en relación con la intensidad de la base. También se representarán las curvas que relacionan las intensidades de los elementos que forman los enlaces “pn”, y la tensión entre dichos elementos. Fundamento teórico : El transistor de unión bipolar...
616 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoLaboratorio de Ingeniería Electrónica 1 Sección 5 Práctica #4 Pre Laboratorio Sensibilidad de la polarización. San Cristóbal, 11 de marzo de 2013 Juan Miguel Molero García 20617177 Jesús Miguel Flores Tarazona 19358546 1. Investigar y registrar en una tabla las principales características electrónicas de los transistores adquiridos para realizar los montajes en el laboratorio. 2. Investigar el procedimiento para diferenciar, mediante...
1746 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoFacultad de Ingeniería Eléctrica Laboratorio de Electrónica “Ing. Luís García Reyes” Materia: “Laboratorio de Electrónica Digital I” Práctica Número 3 “Implementación de compuertas y circuitos lógicos con transistores” Objetivo: En esta practica, se implementaran circuitos lógicos basados en componentes discretos utilizando resistencias y transistores, se evaluar su funcionamiento así como la comprobación del funcionamiento de las principales compuertas lógicas. Introducción: Los...
1676 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoELECTRÓNICA MENCIÓN INSTRUMENTACIÓN Y AVIÓNICA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I TEMA: CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR BIPOLAR Objetivos Analizar las tres regiones de funcionamiento del transistor. Obtener de la características de entrada y salida de un transistor BJT Medir los voltajes y corrientes de polarización de los transistores Medir el voltaje y salida del circuito amplificador y calcular la ganancia Información teórica Un transistor bipolar BJT está formado por tres capas semiconductoras...
579 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoSEÑALES AC POR TRANSISTOR JENNY CATALINA GARZÓN ACOSTA MARLON DAVID MARTÍNEZ MOLINA MICHAEL ANDRÉS TELLEZ PARRA Códigos: 20132007093, 20132007114, 20132007087 UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS- INGENIERIA ELÉCTRICA-CIRCUITOS I-GRUPO 007-742-LABORATORIO No.8- EQUIPO 1 BOGOTÁ – COLOMBIA jcgarzona@correo.udistrital.edu.co;marlondavid96@hotmail.com;matellezp@correo.udistrital.edu.co I. OBJETIVOS I.I OBJETIVO GENERAL Verificar teórica y experimentalmente la utilización del Transistor como amplificador...
1698 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completopráctica se pretende que el alumno aprenda el funcionamiento del transistor como un interruptor. Marco Teórico El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor, este es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grafico de los tipos de transistor. (Fig. 1.1) Fig. 1.1 Transistor Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente...
1015 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTRANSISTORES Alexandra Dávila Hoyos, Brayan García Ortiz. Profesor: Norman Jiménez Grupo AN – Mesa 1. Laboratorio de Electrónica I, Corporación Universitaria de la Costa, Barranquilla Resumen La polarización de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones que fijan su punto de trabajo en la región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en donde los transistores presentan características más o menos lineales. Al aplicar una señal alterna a la entrada,...
1407 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoLABORATORIO DE ELECTRÓNICA 2 PRÁCTICA 3 EL TRANSISTOR COMO EMISOR COMUN Informe de laboratorio 3 FACULTAD DE INGENIERÍA INGENIERÍA ELECTRÓNICA BOGOTÁ D.C 2012 1. OBJETIVOS 1.1 GENERALES Analizar la respuesta en frecuencia del transistor bipolar para altas frecuencias 1.2 ESPECÍFICOS Polarizar un transistor bipolar para un buen fT y medir su ganancia en corriente y en voltaje Comparar los resultados obtenidos en el laboratorio con los resultados calculados previamente Realizar...
943 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoZonas de funcionamiento del transistor de efcto de campo (FET): 1. ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS.Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. 2. ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS 3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es...
613 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoUniversidad Central PROPUESTA DE LABORATORIO CORTE 2 ELECTRÓNICA 1: Polarización del BJT Fecha de entrega: septiembre 24 de 2010. Diseñar e implementar las siguientes polarizaciones: a) Polarización fija. b) Polarización por retroalimentación de Emisor o seguidor a Emisor c) Polarización universal MATERIALES: Resistencias: estas deben corresponder de acuerdo al diseño. Condensadores: se deben calcular para frecuencias medias. Transistores BJT: se propone el transistor de baja potencia con referencia...
813 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoELECTRONICA Y ELECTRICA LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT) I. OBJETIVO Conocer la polarización y empleo del transistor bipolar de juntura. II. MATERIALES Y EQUIPOS R=1.2K,270K,127K,1K,12K,1.5K,120Ω Transistor (Tr) 2N2222 cantidad 2 Fuente de alimentación Multímetro (VOM) III. PROCEDIMIENTO 1. Reconocer los terminales y el tipo de diferentes transistores. Anotar sus observaciones. Un transistor de UNION BIPOLAR está formado...
1329 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL. Facultad de Ingeniería en Ciencias de la Tierra. TITULO DE LA PRECTICA: Corte de Núcleos. PRACTICA: N.- 2 ESTUDIANTE: Luis Fernando Lituma Gossmann. FECHA DE REALIZACION: Viernes, 25 de Octubre del 2013. FECHA DE ENTREGA: Viernes, 1 de Noviembre del 2013. PARALELO: #2 OBJETIVO. Obtener un núcleo a condiciones de laboratorio de la roca arenisca. Determinar el volumen del núcleo para el análisis experimental. INTRODUCCION. Los datos de núcleos obtenidos...
1492 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoLABORATORIO DE CORTE DIRECTO INTRODUCCION El ensayo de corte directo nos permite determinación de la resistencia al corte de un suelo cohesivo el cual es extraído a cierta profundidad, normalmente referente a la construcción de taludes, terraplenes, estructuras de retención de tierras, estudios de capacidad de cargas, entre otros. Este ensayo nos proporciona herramientas confiables en las cuales se pueden sustentar los...
1598 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completode Materiales Transistor BJT NPN y BJT PNP 24/Abril/2012 Objetivo El alumno realizara un reporte con el fin de obtener información acerca de que es un transistor BJT en este incluirá un concepto de lo que significa, las partes que lo componen(o de que esta hecho), su funcionamiento (como y para que sirve) y al finalizar el alumno tendrá que demostrará los conocimientos ya obtenidos de este reporte. Descripción Transistor Bipolar o BJT. En definición un transistor es un componente...
1301 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoEXPERIENCIA EDUCATIVA MICROBIOLOGA AGROINDUSTRIAL LABORATORIO DETERMINACION de salmonella spp en alimentos ESTUDIANTES ESTHER CAROLINA ARRIETA WADNIPAR NAILETH CRISTINA BRU DAVID YAKELINE CHINCHILLA BONET JEISON PALMA ARZUAGA YOLEINIS BARROS TRILLOS DOCENTE YUMAR E. RUIDIAZ MENDEZ UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR FACULTAD DE INGENIERIA INGENIERIA AGROINDUSTRIAL VALLEDUPAR - CESAR 2015 INTRODUCCION En el presente trabajo procedemos a determinar la presencia o ausencia de la salmonella...
530 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoUniversidad católica de Colombia Laboratorio de probabilidad Presentado a: Ana rosa rodríguez Presentado por: John Alexander Bermúdez Jean maicol Sáenz Paola parra Abril del 2015 Tablas cruzadas Notas Salida creada 15-APR-2015 15:00:56 Comentarios Entrada Conjunto de datos activo Conjunto_de_datos1 Filtro <ninguno> Ponderación <ninguno> Segmentar archivo <ninguno> N de filas en el archivo de datos de trabajo 31 Manejo de valor perdido Definición de ausencia Los valores...
784 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoCORTE DIRECTO ASTM D3080 CONSTANTE DEL ANILLO PESO ESP. RELATIVO DE SOLIDOS (Ss) DATOS GENERALES VELOCIDAD DE ENSAYO ALTURA DE LA MUESTRA LADO DE LA MUESTRA ESTADO DE LA MUESTRA CONDICION DE ENSAYO TAMAÑO MAX. DE PARTICULAS (mm/min) (cm) (cm) (cm) No DE ENSAYO ESFUERZO NORMAL CONDICIONES GENERALES Humedad Inicial 1 No recipiente 2 W recipiente 3 W recipiente sw 4 W recipiente s Datos Generales 5 No molde 6 W molde 7 Altura swa 8 Lado swa 9 W molde sw Humedad...
599 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoDesarrollo del laboratorio 8-12 -Desarrollo informe final 12- -Conclusión -Bibliografía Introducción En el desarrollo de este laboratorio estudiaremos el comportamiento de dos transistores en distintos circuitos, el primer transistor es el 2N2222 y el segundo es el transistor 2N2219. Los transistores son dispositivos con tres terminales que tienen la forma de dos junturas semiconductoras y son parecidos a dos diodos con junturas. El transistor es un dispositivo...
2009 Palabras | 9 Páginas
Leer documento completoINTRODUCCION Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno de los terminales controla el comportamiento en los otros dos. Se construyen principalmente de Silicio o Germanio. Los transistores se utilizan normalmente en la amplificación de señales, fuentes de poder reguladas y como switches o interruptores, que es el funcionamiento que le daremos nosotros a lo largo de nuestra materia. Se tienen varios tipos de transistores, los cuales se pueden ubicar...
1613 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoSaturación En un depósito de petróleo, siempre hay más de una fase de fluido que ocupa el espacio poroso. En un depósito de petróleo, el petróleo y el agua ocupan el espacio poroso. En un depósito de gas, el gas y el agua ocupan el espacio poroso. En un cierto punto en la producción de un yacimiento de petróleo; petróleo, agua y gas podría ocupar el espacio poroso. Es necesario hacer un seguimiento de la cantidad de cada tipo de fluido que ocupa el espacio poroso. La propiedad petrofísica que describe...
1274 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completo• Transistor bipolar 121 Transistor bipolar 122 Transistor bipolar 123 Transistor bipolar • Transistor Bipolar: • 1) Se utiliza para amplificación de señales • 2) Conmutación. (estado alto/estado bajo) 124 Transistor bipolar • Transistor Bipolar: • 1) Se utiliza para amplificación de señales 125 Transistor bipolar • Transistor Bipolar: • 2) Conmutación. (estado alto/estado bajo) 126 Transistor bipolar 127 Transistor bipolar 128 Transistor bipolar • Transistor npn • En todo...
911 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completo TRANSISTORES INTEGRANTES: Vega Mayta, Jhan Carlos Alfredo. Canchari La Rosa, Sayumi Alexandra. Huayta Ñaupari Alexandro Caballero Moreno Marco PROFESOR: RICARDO PALOMARES ORIHUELA I. OBJETIVOS Conocer el principio de los transistores Verificar el funcionamiento de un transistor. Armar circuitos en diferentes estados de un transistor. Conocer su composición, y su funcionamiento. Presentar alguna de las aplicaciones de un transistor. II. MARCO...
1874 Palabras | 8 Páginas
Leer documento completo3 Experiencia #1: Reconocimiento del Transistor de Unión Bipolar (BJT)……………… 4 Experiencia #2: Polarización del transistor BJT…………………………………………. 12 Experiencia #3: Transistor como conmutador (Biestable)……………………………… 16 Experiencia #4: Multivibrador Aestable y Monoestable..................................................18 Referencia Bibliográfica……………………………………………………………………... 21 Introducción General Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres...
1700 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoEJERCICIO MODELO Y MÉTODO DE RESOLUCIÓN Diseñar y calcular un circuito que permita activar un rele atravez de un transistor, la señal que provoca la polarización la da un sensor LDR, como se muestra en la figura, donde es indispensable que el transistor trabaje en la zona de corte y saturación. Los Datos del circuito son: Valor de la Fuente de Alimentacion Valor Cuando existe incidencia total del Luz (tambien es possible tomar el valor del Fabricante) Valor Cuando no hay incidencia de...
856 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoUniversidad de Guadalajara Transistores TRANSISTOR El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial. También se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico. El Transistor es un componente electrónico formado por materiales semiconductores, de uso muy habitual pues lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas...
611 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR BJT (TRANSISTOR DE UNION BI-POLAR, BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR) Refrigeración – Módulo III, Submódulo I El Transistor BJT El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en...
876 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoCuando un transistor se utiliza en un circuito, el comportamiento que éste tenga dependerá de sus curvas caracteristicas. En el diagrama que se muestra hay varias curvas que representan la función de transferencia de Ic (corriente de colector) contra VCE (voltaje colector – emisor) para varios valores de Ib (corriente de base). Cuando el transistor se utiliza como amplificador, el punto de operación de éste se ubica sobre una de las líneas de las funciones de transferencia que están en la zona...
598 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEl transistor Corresponde a uno de los Dispositivo o componentes semiconductores esenciales de los circuitos electrónicos que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Se clasifican en tres clases (BJT, FET, UJT) CADA UNO con una gran variedad de tipos de transistores. En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: |[pic] |[pic] ...
789 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoTema 2: EL TRANSISTOR BIPOLAR 2.1 Introducción 2.2 El transistor en régimen estático • Expresiones simplificadas en las regiones de funcionamiento • Curvas características del transistor (configuración en EC). 2.3 Polarización del transistor • Punto de trabajo (Q) • Circuitos de polarización. Recta de carga estática 2.4 El transistor en conmutación 2.5 El transistor como amplificador BIBLIOGRAFÍA TEORÍA: • Boylestad. Electrónica. Teoría de circuitos, Cap. 4 y 5 • Savant et al. Diseño...
1256 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoSOLVENTE MÉTODOS DE EXPLORACIÓN ANÁLISIS DE CARBÓN OIL SHALES CORAZONES QUE CONTIENEN YESO HISTORIA: MÉTODO DE RETORTA AL VACÍO 4.1 INTRODUCCIÓN El análisis de saturación de fluidos puede alterar la mojabilidad del núcleo y así afectar los análisis adicionales sobre el material del núcleo Recobrar un núcleo que tenga la misma saturación y distribución de fluidos como las de la formación antes del corazonamiento es una labor imposible Corazonamiento, transporte, preservación, recobro 4.1...
1552 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoTransistor TIP31c Martin Nicolás Física Experimental I – Facultad de Ciencias Exactas y Naturales 15 de junio de 2015 Resumen En esta práctica se observó el funcionamiento del transistor TIP31c con sus principales características y aplicaciones en general. Desarrollamos un circuito para el funcionamiento de un motor con el uso de este y registramos los datos de las variables para poder caracterizarlo y entender su funcionamiento. Introducción El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor...
889 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoIntroducción: El transistor vino a reemplazar a un dispositivo denominado tubo de vacío (los tubos de vacío aún se emplean en electrónica de potencia, cuando son necesarias elevadísimas ganancias, por ejemplo en amplificadores para trasmisión vía satélite) con las siguientes ventajas: Su consumo de corriente es mucho menor con lo que también es menor su producción de calor. Su tamaño es también mucho menor. Un transistor puede tener el tamaño de una lenteja mientras que un tubo de vacío tiene...
739 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoLABORATORIO: TRANSISTOR BIPOLAR TEST DE PREGUNTAS PREVIAS 1.- ¿Cómo se puede identificar el tipo de transistor utilizando multitester? 2.- ¿Cómo se puede verificar el estado del transistor utilizando multitester? 3.- ¿Cómo se puede reconocer los terminales del transistor? 4.- ¿Cómo se puede calcular la corriente de base de un transistor si se conoce la de colector y su Ganancia de corriente? 5.- ¿De qué depende la corriente de colector? 6.- ¿Cuáles son las zonas de operación que tiene...
541 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEl transistor Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña.Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: | | | | Transistor NPN | Estructura de un transistor NPN | Transistor PNP | Estructura de un transistor PNP | Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP...
577 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo1. Transistor: Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. 2. Simbología: 3. Partes de un Transistor (Terminales de un transistor): 4. Tipos de un transistor: • Transistor NPN: NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. • Transistor PNP: El otro tipo de transistor...
761 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completo/ 2013 Transistores BJT. El transistor de unión bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnología en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas usados en la actualidad. Características. Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustración de la representación esquemática de un transistor PNP y NPN respectivamente. Funcionamiento. Un transistor BJT puede...
1527 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completocon un nivel de tensión y corriente, más elevado. El transistor sea PNP ó NPN es capaz de amplificar corriente, es decir, que a una determinada intensidad aplicada en uno de sus terminales de entrada (emisor ó base generalmente) responde con una corriente mayor en el de salida (colector). A través de esta forma de trabajo se puede obtener otras amplificaciones como son la de tensión y la potencia Sistema más elemental de alimentar a un transistor para obtener la función amplificadora. Depende de la...
607 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El transistor debe su nombre a su capacidad de transformar la resistencia de la corriente eléctrica que pasa entre el receptor y el emisor, y fue inventado por Jahn Bardeen, William Shockley y Walter Brattain. El transistor vino a reemplazar a un dispositivo denominado tubo de vacío; * Su consumo de corriente es mucho menor con lo que también si producción...
962 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completocircuito en el que va conectado. Estas características son: 1. Saturación. El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor. De todas formas esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la propia corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta excesivamente, puede estropearse de forma permanente. [pic] Para un transistor de silicio que se encuentra en saturación la tensión entre la base y el emisor es de 0,7 V y entre la base y...
886 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoGabriel Martínez García. Practica TRANSISTORES. OBJETIVO. Aplicar los conocimientos adquiridos en clase, en la práctica, analizar y entender el funcionamiento de los dos distintos tipos de transistores que utilizamos, en este caso el PNP y el NPN. MARCO TEÓRICO. ¿Qué es un transistor? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarán los bipolares...
975 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoPRACTICA No 2 Estados del Transistor Bipolar. OBJETIVO. Conectar un transistor en configuración emisor común en un circuito de polarización fija. Calcular la resistencia de base necesaria para poner a trabajar el transistor en saturación y amplificación. Medir los voltajes y corrientes del transistor en corte, saturación y amplificación MATERIAL Y EQUIPO. 1 .- Multimetro 1 .- Protoboard 1.- Fuente de Voltaje 2.- 2n2222 o algún otro transistor. 1.- Potenciometro de 100K 1.- foco...
517 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoCONFIGURACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR Configuraciones Básicas del Transistor Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones: • Base común (BC). • Emisor común (EC). • Colector común (CC). Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes: [pic] |[pic]Zona ACTIVA: |UE en Directa...
1031 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoInforme de laboratorio I Transistores Introducción El transistor es un dispositivo semiconductor, que presenta dos modos de Funcionamiento: lineal y no lineal. La parte no lineal, que permite utilizar dos estados claramente diferenciados (corte y saturación). Los transistores son dispositivos de estado sólido en cierto modo son iguales a los diodos. En donde veremos cómo funciona este dispositivo conectado a dos fuentes de voltaje continuo, se analizara las corrientes en el transistor y voltajes...
580 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoTransistor El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras...
1049 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Este, consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores...
1440 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoUNIDAD II - CLASE Nº 1 El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. [pic] Figura 1.1. Símbolos...
1553 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completo El funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente que pase por su base. Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto. El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado...
846 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR AMPLIFICADOR CON EMISOR COMÚN En estos tipos de montajes en los que la entrada de señal a amplificar y la salida amplificada se toma con respecto a un punto común, en este caso el negativo, conectado con el emisor del transistor. Este circuito nos ayudará a comprender el funcionamiento de un transistor tipo NPN. Participemos de la base del conocimiento del circuito eléctrico interior del transistor NPN, y de sus polarizaciones. Se puede decir que un transistor NPN es basicamente un...
672 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoTransistores FET y MOSFET TRANSITORES FET [pic] FET: Transistor de efecto de campo, curva característica, resistencia del canal El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura Los...
1476 Palabras | 6 Páginas
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