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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Introducción
El Transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan en una gran proporción, a las del transistor BJT.
La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es undispositivo controlado por voltaje.
Construcción y características de los JFET
E un dispositivo con tres terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente delas otras dos.
La mayor parte de la estructura es del material tipo n que forma el canal de entre las capas inferiores del tipo p.LA parte superior r del canal tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a laterminal referida como la fuente. Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre si y a una terminal de la compuerta. El drenaje y la fuente se hallan conectados a los extremos del canal tipo n y la entrada a las dos capas del material tipo p. Lo queda como resultado es una región de agotamiento en cada unión.
La fuente de la presión de agua se parece al voltaje aplicado desde eldrenaje a la fuente que establecerá el flujo de agua (electrones) e parece al voltaje aplicado desde el drenaje de la fuente ala fuente que establecerá el flujo de agua atreves de la llave. La compuerta mediante una señal aplicada (potencial) controla el flujo de agua (carga).
Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal-n

Se aplica un voltajepositivo VDS a través del canal, y la entrada se conecta directamente a la fuente para hacer que VGS=0v. Como resultado la compuerta y la fuente tuenen el mismo potencial y la región de agotamiento esta por debajo de un material tipo-p. Cuando se aplica VDD=VDS, los electrones serán atraídos a las terminales de drenaje, estableciendo una corriente ID la trayectoria de la carga nos indica que lascorrientes son equivalentes.
Para el dispositivo JFET de canal-n al aplicar una polarización negativa en la compuerta alcanzamos un nivel de saturación a un nivel menor de VDS. |
ES la solucion definida por la interseccion de dos curvas.Esta grafica muestra la curva caracteristica de transferencia en base a la ecuacion de Shockley a partir de las caracteristicas de salida. |
Es unejemplo de como obtener la grafica de transferencia de una forma rápida Considerando que : |
Curva de Transferencia del transistorEsta es una curva de transferencia para el dispositivo canal-p Estos dos puntos nos ayudan a definir los limites de la grafica y son obtenidoa con la ayuda de las ecuaciones de la grafica anterior |
Observación de niveles de estrechamiento en la hoja deespecificaciones del transistorEn la hoja de especificiones del transistor podemos encontrar esta curva que nos muestra los niveles de estrechamiento que definen la región de operación para la amplificación sobre las características de drenaje. |
Observación de la curva caracteristica de un transistorNos muestra como observar las caracteristicas de drenaje de un transistor tipo JEFT.Ajustando la escalavertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en volts).Cada divicion vertical reflejara un cambio de 1mA en Ic, mientras que cada division horizontal tiene el valor de 1v. |
Moset de tipo decremental canal-nNos muestra que mediante la conexión directa de una terminal a otra, se aplica un voltaje atraves de las terminales de drenaje y fuente , lo que resulta como una atraccion, por elpotencial positivo del drenaje para los electrones libres del canal-n . |
* Mosfet decremental canal p: es el dual del tipo-n .Las polaridades de los voltajes y las direccciones de la corriente estan inversas. * La construcción de un transistor MOS-FET de tipo decremental de canal P es exactamente de forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal...
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