Apuntes electrónica de potencia

Apuntes de Electrónica de Potencia

Ingeniería Mecatrónica
Electrónica de Potencia

Bibliografía
Teoría de Control Electrónico de Potencia
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)
9)

ELECTRONICA DE POTENCIA, MUHAMINAD RESTRUD, ED.PRETICE HALL.
ELECTRONICA INDUSTRIAL, GUALDA MARTINEZ, ED.ALFAOMEGA.
HANDBOOK OF SCR’S, GENERAL ELECTRIC.
TRIACS Y TIRISTORES, HENRY LILEN, ED MARCOMBO.ELECTRONICA INSDUSTRIAL, RAMSHAW, ED MARCOBOMBO.
ELECTRONICA INDUSTRIAL, BOYLESTAD, ED.PRENTICE HALL.
POWER ELECTRONICS, CIRYL W.HADER, ED.MC GRAW HILL.
ELECTRONICA INDUSTRIAL, GARY SIGUER, ED.GUSTAVO GILI.
ELETRONICA INDUSTRIAL Y APLICACIONES DE CONVETIDORES REVERSIBLES Y NO REVERSIBLES,
BUHLER, ED.GUSTAVO GIL.
10) CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES DE C.D., CHAMPRADE, ED.GUSTAVO GILI.

Teoría,Construcción (Estructura Básica), Aplicación de los dispositivos de Potencia
1) Diodo de potencia
2) SCR(Silicon Controlated Rectifier)
3) Diac(DI-2 Terminales; Altern Current)
4) Triac(TRI-3 Terminales; Altern Current)
5) Diac-Triac>Quadrac(Dimmer)
6) SCS -(Silicon Controlated Switch)
7) GTO-(Gate Turn Off-On)
8) FET-MOSFET Power-(Metal Oxide Semiconductor)-(Field Effect Transistor)
9)IGBST-(Insulator Gate Bipolar Junchon Transistor)
10) PUT-(Programable Union Transistor)
11) SITH-(Switch Induction State)
12) SUS-(Switch Unilateral de Silicio)Generador de frecuencia de control unipolar
13) SBS-(Switch Bilateral de Silicio)Generador de señales de frecuencia de control bipolar

Contenido temático
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Convertidores de C.A.
-Monofásicos; No controlados ycontrolados a D.C.
-Polifásicos
Convertidores C.A. >> C.D.
Convertidores de C.D. a C.D.; Regulación de tensión.
Inversores de C.D. a C.A. (Osciladores, Onduladores,Troceadores)
Inversores de C.A. a C.A.; Varia la frecuencia y la amplitud. (Ciclo conversor o Ciclo
Convertidor)
corriente alterna)(Control por frecuencia)

Diodo de Potencia
Ánodo
P

Cátodo

N

SI (SIlicio)>0.7V

Materialbásico de
construcción

GE(Germanio)>0.5
a 0.4V

C (Carbon)

Cuarta capa electronica de cada uno de ellos, posee cuatro electrones en equilibrio.
Cuentan con electrones donantes:
 P(Fosforo)
 Sb(Antimonio)
 Bi(Bismuto)
Cuentan con huecos:
 Ga(Galio)
 Ge(Iridio)
 B(Boro)
Impurezas
Un diodo tiene 2 opciones de polarizado
1) VA>VC (Forward BIOS); Polarizado directamente
2)VA Directamente polarizado
J2, >>> Inversamente polarizado
El comportamiento del semiconductor de Si es biestable.

VDRM (Direct Repetitive Voltage)
Es el voltaje aplicado repetitivamente entre ánodo-cátodo manteniendo al SCR directamente
polarizado, sin conducir; es altamente resistivo; la corriente no es capaz de ceder potencia a la carga.
En la curva característica de SCR se da laexistencia de un punto de mantenimiento Pu, el cual sus
coordenadas son: un voltaje de tiristor que establece la caída de tensión entre ánodo-cátodo en el
estado de conducción, además se manifiesta una corriente mínima de conducción llamada corriente
de sostenimiento o de mantenimiento; normalmente un SRC deja de conducir si los valores antes
referidos de voltaje y de corriente disminuyen de un valorpor lo tanto el SRC se conmutara del estado
de conducción al estado de bloqueo.
Cuando un SCR es inversamente polarizado exhibía una curva similar en el tercer cuadrante a la de un
diodo convencional; donde el voltaje Vrrm del SCR es el voltaje inverso máximo que se puede aplicar
a las terminales ánodo-cátodo sin la posibilidad de que el SCR se destruya es decir define las
propiedadesrectificadoras del mismo y el exceder este valor inverso de voltaje destruye
irreversiblemente el SCR.

Cuando un SCR se le dispara o se le hace conducir, mediante la acción única de la fuente de
alimentación, y este puede bloquearse o dejar de conducir se le denomina “conmutación natural”.
Cuando a un SCR se le añade elementos de circuitos y circuitería externa para hacerlo conducir o para...