asASa
Páginas: 2 (277 palabras)
Publicado: 25 de noviembre de 2013
Polarización directa
El voltaje positivo aplicado al Ánodo empuja los huecos hacia la zona de agotamiento, lo mismo hace el voltaje negativo sobre loselectrones del Cátodo .Cuando el voltaje es pequeño, y va aumentando, la zona de agotamiento se hace mas pequeña .Cuando el voltaje llega a un valor llamado voltaje deumbral , la zona de agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito externo empieza a aportar huecos a la zona P y electrones a lazona N .
El voltaje Umbral es de 0,2V para el Germanio y 0,6V para el Silicio. Cuando el diodo esta en conducción la corriente crece con un pequeño voltaje(décimas de Voltios) .Entonces, se dice, que para un diodo de Silicio en conducción su voltaje es de 0,7V.
(Si los voltajes son mayores a 0,7V, el voltaje del diodose considera igual a 0V y se asemeja a un interruptor cerrado).
Polarización Inversa
El voltaje negativo aplicado al Ánodo atrae los huecos y el voltajepositivo aplicado al Cátodo atrae los electrones, así la zona de agotamiento se hace mas grande. En el caso de los portadores minoritarios hacen recombinación yforman una corriente muy pequeña (nA a µA), en el caso practico se considera nula. Entonces se dice que el diodo actúa como un interruptor abierto.
Cuando el voltajeinverso aplicado llega a cierto valor la atracción entre huecos y electrones crece tanto, que rompen la resistencia de la estructura del semiconductor y viajan agran velocidad formando una corriente que crece rápidamente, a esto se lo llama, “Fenómeno de avalancha” y a ese voltaje se lo llama Zener o de avalancha .
El voltaje positivo aplicado al Ánodo empuja los huecos hacia la zona de agotamiento, lo mismo hace el voltaje negativo sobre loselectrones del Cátodo .Cuando el voltaje es pequeño, y va aumentando, la zona de agotamiento se hace mas pequeña .Cuando el voltaje llega a un valor llamado voltaje deumbral , la zona de agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito externo empieza a aportar huecos a la zona P y electrones a lazona N .
El voltaje Umbral es de 0,2V para el Germanio y 0,6V para el Silicio. Cuando el diodo esta en conducción la corriente crece con un pequeño voltaje(décimas de Voltios) .Entonces, se dice, que para un diodo de Silicio en conducción su voltaje es de 0,7V.
(Si los voltajes son mayores a 0,7V, el voltaje del diodose considera igual a 0V y se asemeja a un interruptor cerrado).
Polarización Inversa
El voltaje negativo aplicado al Ánodo atrae los huecos y el voltajepositivo aplicado al Cátodo atrae los electrones, así la zona de agotamiento se hace mas grande. En el caso de los portadores minoritarios hacen recombinación yforman una corriente muy pequeña (nA a µA), en el caso practico se considera nula. Entonces se dice que el diodo actúa como un interruptor abierto.
Cuando el voltajeinverso aplicado llega a cierto valor la atracción entre huecos y electrones crece tanto, que rompen la resistencia de la estructura del semiconductor y viajan agran velocidad formando una corriente que crece rápidamente, a esto se lo llama, “Fenómeno de avalancha” y a ese voltaje se lo llama Zener o de avalancha .
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