Bjt Transistores

ESCOLA UNIVERSITÀRIA D'ENGINYERIA TÈCNICA INDUSTRIAL DE BARCELONA ALUMNE:

EXERCICI PROPOSAT

TECNOLOGIA ELECTRÒNICA QUALIFICACIÓ:

Dado el circuito de la figura, en que VCC = + 10 (V), R1 =220 (k), R2 = 1 (k), Rg = 100 () y en que el transistor Q se modeliza en continua con una VBE = + 0,6 (V) y una ganancia hFE = 80.

Si se encuentra el interruptor T inicialmente abierto, contestara las cuestiones siguientes: 1) Calcular el punto de trabajo del transistor. 2) ¿Qué valores de catálogo de VCEO e ICM se deberán adoptar como mínimo para el transistor?.
o

3) Si el transistorpresenta una Rth(unión-ambiente) = 200 (oC/W) y trabaja a una temperatura ambiente de 25 C. Calcular la temperatura de la unión del transistor.

4) Con el interruptor T cerrado, y sabiendo que hfe =80, r = 600 () y que el generador de señal Vb(t) genera una señal sinusoidal de 17,5 (mV) de valor de pico y de una frecuencia lo suficientemente alta como para considerar que el condensador C secomporta como un cortocircuito. Calcular el valor máximo o de pico de la tensión colector-emisor del transistor. 5) Dibujar el circuito equivalente con señal débil del circuito de la figura para el casoen que la frecuencia del generador fuera lo suficientemente alta como para que afectaran los efectos de las capacidades parásitas del transistor. Explicar la respuesta que podemos esperar del circuitoa frecuencias elevadas. ________________________________________________________________________________________ Apartado 4: Para resolver este apartado hay que plantear el circuito equivalente conseñal débil del circuito propuesto. Este circuito equivalente se obtiene al aplicar el teorema de la superposición para el caso en que se analiza la respuesta del circuito para la fuente de señal, nopara la componente continua. Para ello hay que considerar que las fuentes de tensión continua se modelizan como un cortocircuito, y que el modelo del transistor es el siguiente, donde r es la...