Circuito con realimentacion

CIRCUITO CON REALIMENTACION
Objetivos
O1. Realizar el estudio y análisis de las características de un amplificador realimentado.
O2. Comparar configuraciones de amplificadores realimentados.
Introducción.-
Realizamos el diseño del amplificador de tensión con realimentación de tensión en serie, primeramente sin realimentación luego lo conectamos con realimentación, la ganancia tiene unadisminución. El ancho de banda del circuito con realimentación es más grande con realimentación que con el circuito sin realimentación.

SIMULACIÓN PARA ENCONTRAR LOS PUNTOS DE TRABAJO Q. PARA JFET
Para hallar el punto de trabajo Q del transistor J2N3819, empleamos el método gráfico, para esto se realiza la simulación en “Pspice” del circuito que mostramos adjunto

Implementando el circuito deljfet, procedemos a encontrar la gráfica de las curvas de entrada del transistor, para esto debemos graficar ID (corriente de drenador) en función de VGS (voltaje puerto-surtidor) esto debe de realizarse sin alimentación de alguna fuente externa, por ese motivo ponemos una tención “0” en las fuentes DC del circuito.
Entrada, para realizar los cálculos será necesario solo tres curvas, para esto nosvamos a la opción “Análysis Setup”, habilitamos las opciones “DC Sweep” y “Bias point Detail”, en DC Sweep habilitamos la opción “Voltaje Source” y “Decade” colocamos la respectiva denominación VGS (voltaje puerto-surtidor), hacemos variar el voltaje de 3.0 hasta 0 en intervalos de 0.01; despues ingresamos a la opción “Nested Sweep” y le asignamos una denominación VDS (Voltaje drenador-surtidor)y habilitamos “Linear”, como deseamos tres curvas le damos tres valores, y habilitamos “Enable Nested Sweep”.
Debemos trazar una recta de carga esto se realiza entrando en la opción “Add Traces” y escribir (-VGS / Ri) tratando de que esta pase lo mas cerca posible al origen pero es recomendable tomar -1 (V) y el punto (-1, IDSQ),

VGSQ - 1.00 [V]
IDSQ = 5.3083 [mA]

Para encontrar lascurvas de salida utilizamos el mismo circuito de la figura 1, pero esta vez hacemos variar VDD desde 0 hasta 20 [V], en intervalos de 0.1; y hacemos variar VG desde -0.9 hasta -1.1, con intervalos de 0.1.
En la gráfica obtenemos tres curvas, como se muestra en la figura 3, y de la misma manera que para la primera gráfica debemos hallar la recta de carga, considerando que el valor para VDSQ debeser más o menos:
VDSQ = (VDD - VGSQ) / 2
VDSQ = 9.5

Después de realizar todo este análisis se ha logrado encontrar un punto de trabajo Q para el funcionamiento de nuestro transistor, habiendo hallado tres parámetros importantes:
VGSQ = - 1.00 [V]
IDSQ = 5.3083 [mA]
VDSQ = 9.5 [V]

SIMULACIÓN PARA ENCONTRAR LOS PUNTOS DE TRABAJO Q. PARA BJT
Para hallar el punto de trabajo Q deltransistor Q2N3904, empleamos el método gráfico, para esto se realiza la simulación en “Pspice” del circuito mostrado en las graficas posteriores

Implementamos el circuito del BJT con fuentes en tención “0”, procedemos a encontrar la gráfica de las curvas de entrada del transistor, para esto debemos graficar Ib en función de Vbe esto debe de realizarse sin alimentación de alguna fuente externa.Entrada, para realizar los cálculos será necesario solo tres curvas, para esto nos vamos a la opción “Análysis Setup”, habilitamos las opciones “DC Sweep” y “Bias point Detail”, en DC Sweep habilitamos la opción “Voltaje Source” y “Decade” colocamos la respectiva denominación Vbe, hacemos hacer variar el voltaje de 0 hasta 0.8 en intervalos de 0.01; ahora ingresamos a la opción “Nested Sweep” y leasignamos una denominación Vce y habilitamos “Linear”, como deseamos tres curvas le damos tres valores y habilitamos “Enable Nested Sweep”.
Debemos trazar una recta de carga esto se realiza entrando en la opción “Add Traces” y escribir (1-Vbe) / Ri tratando de que esta pase lo mas cerca posible a 0.7V pero es recomendable tomar 0.68 V y el punto (0.68, Ib).
Salida, para encontrar las curvas de...