Circuito

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Republica Bolivariana de Venezuela

Ministerio para la educación del Poder Popular

Universidad del Zulia

LUZ -COL

[pic]

INTEGRANTES:

Enrique Rivas CI. 19071351

Pablo Andrade CI. 20861397

Carlos Marcano CI. 18807461

ESQUEMA

INTRODUCCIÓN

1.- DIODOS

1.1 La unión P-N.

1.2 Características Tensión-Intensidad del diodo

1.3 rectificación y Filtraje

1.4Diodos especiales

2.- TRANSISTORES

2.1 Transistor de unión bipolar

2.2 Circuito emisor común

2.3 Circuito colector común

2.4 Circuito base común

2.5 Transistores de efecto de campo

3.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL

3.1 Amplificador operacional ideal

3.2 Parámetros del Amplificador operacional

3.3 Inversor de Fase

3.4 No inversor de Fases

3.5 Seguidor de Fase3.6 Sumador

3.7 Integrador

CONCLUSION

DESARROLLO

1.- DIODOS

Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas constituidos por dos electrodos rodeados devacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

1.1 La unión P-N

Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de uniónpn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).

Al establecerse estas corrientesaparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y deiones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso delsilicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia depotencial externa, se dice que no está polarizado. Dado que los electrones fluyen desde la zona n hacia la zona p, al extremo p se le denomina ánodo (representándose por la letra A) mientras que al extremo n se le denomina cátodo (se representa por la letra C o K).
Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de proteger cables.
|A (p) |[pic]|C ó K (n) |
|Representación simbólica del diodo pn |

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
1.2 Características Tensión-Intensidad del diodo
Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ).
La tensión umbral (también...
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