Clinica

LABORATORIO NUMERO DOS


PRESENTADO POR:
CARLOS ANDRES GONZALEZ
DAVID MUÑOZ
JUAN MANUEL OVIEDO



SEXTO SEMESTRE



PRESENTADO A:
ALEJANDRO PAZ PARRA



MATERIA:
MEDIOS DE TRANSMISION



PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA CALI
26 DE ENERO DE 2013Laboratorio de Medios de transmisión. Quickfield.
Hecha ya la simulación del capacitor completo, optimizamos el mayadorealizando la simulación de un octavo del capacitor y disminuyendo el “spacing” en cada vértice.
Imagen de la geometría optimizada.

Espaciado a 0.25 milímetros.
Ahora hacemos un problema de electrostática con esta geometría.
Simulación de un cuarto de capacitor con mayado optimizado.

Podemos ver el potencial en colores. La intensidad de campo eléctrico se ve en las flechas sobre el dibujo.Grafico del potencial contra la distancia radial.

Nótese la distancia radial empieza en cero y termina en cuatro, eso porque la distancia es desde la capa interna del capacitor hasta la externa. El potencial en el núcleo del capacitor no está en la tabla.
Tabla de datos.

Nótese que cuando aumenta la distancia con el centro, aumenta el potencial y disminuye la intensidad de campo eléctrico.
Paracalcular la capacitancia con Quickfield, usamos el comando de cálculo de la capacitancia. La capacitancia obtenida en un cuarto del capacitor fue de que multiplicado por 8 da comparándolo con el cálculo de la capacitancia del preinforme podemos ver que es un valor bastante cercano, de hecho es el mismo. Con el dieléctrico de teflón el cálculo de la capacitancia dio el mismo valor obtenido en elpreinforme .
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Imagen de la densidad de corriente en el condensador con un aislante de teflón con una diferencia de potencial de un voltio.

Podemos ver que la densidad de corriente es bastante baja, esto se debe a la alta resistividad del teflón.

Imagen de la densidad de corriente en el condensador con un aislante de aire con una diferencia de potencial de un voltio

Podemos ver que ladensidad de corriente en el condensador es bastante baja, esto se debe a la alta resistividad del aire.
Calculando la corriente que pasa por una superficie transversal en Quickfield, obtenemos una corriente de . Multiplicamos para obtener la corriente de todo el condensador:

Para hallar la conductancia de fuga y la resistividad usamos la ley de Ohm:

Para realizar la simulación del flujo decorriente con el cobre debemos saber la conductividad de este.
Cobre
Este último valore es el que debemos utilizar en la simulación.
Flujo de la corriente en el capacitor con cobre.

Calculando la corriente que pasa por la superficie delimitada en la imagen por la flecha, obtenemos una corriente de 246550A, una corriente muy grande pues el material es muy buen conductor. (Cobre)
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Deacuerdo al ejemplo de quickfield se modelo la microcinta el resultado obtenido fue:
Valores De La simulación: grupo: 3, w: 2.14 ,h: 0,9

Para la simulación de la microcinta se definieron 2 block labels uno para el espacio del aire y otro para el substrato de baquelita con permitividades relativas 1 y 4.8 respectivamente ,Se definió un edges labels para la línea de cobre superior .Todo esteproceso se hizo después de haber hecho la geometría del problema que con el ejemplo se facilito la construcción .Después de obtener todas las condiciones se procedió a optimizar el mallado del problema para cumplir con los requisitos del laboratorio hasta alcanzar 230 nodos en la baquelita sin afectar la sensibilidad en donde se requería la medición.

Diagrama Microcinta Grupo 3
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CargaAcumulada: Qs =8.547e-11C
Capacitancia entre los electrodos: Qs =8.547e-11F
Conductancia De Fuga:1.3541e-9 sm/mm
Este valor se calculo con el siguiente procedimiento: Se copio la geometría para el mismo problema electrostático pero se soluciono por medio de un problema en DC Conduction se pusieron nuevamente las variables iniciales que este pedía ya que como el problema cambia se deben...