Diodo

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UNIÓN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

UNIÓN P-N POLARIZADA

a) En sentido inverso
Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los portadoresminoritarios y a los pares electrón-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se denomina corriente inversa de saturación (Io).

En cortocircuito el potencial de contacto se compensacon los potenciales en los contactos óhmicos de los

terminales => I=0.

Grandes tensiones directas -> necesidad de limitar la corriente

Símbolo del diodo:

CARACTERÍSTICATENSIÓN-CORRIENTE

Ecuación característica del diodo: se deduce de la ley de la unión

I0 : corriente inversa de saturación (constante a T constante)
η :constante. Su valor es aproximadamente 1 para el Germanio. En el caso del Silicio su valor es 2 para corrientes pequeñas y 1 para corrientes moderadas o grandes.
VT : Tensión equivalente de la temperaturaVT = T/11.600

a temperatura ambiente (T=300 ºK) VT = 0’026 V



Tensión umbral (Vγ): tensión directa mínima para que se inicie la conducción.
La corriente inversa I0 aumenta con latemperatura aproximadamente un 7% por ºC para el Si. La corriente inversa de saturación se duplica aproximadamente por cada 10 ºC de aumento de temperatura. Si I0 = I01
cuando T = T1, cuando latemperatura es T I0 viene dado por:

I0 (T ) = I01

∗2( T − T1 ) /10

La Tensión equivalente de la temperatura VT también aumenta con la temperatura. Para mantener constante I con T => dV/dT ≈-2’5 mv/ºC.

RESISTENCIA ESTÁTICA Y DINÁMICA DE UN DIODO

Resistencia estática (R) : R = V/I -> parámetro muy variable y poco útil

Resistencia dinámica (r): r = dV/dI

I = I0

V
(eη ∗VT− 1)

1 dI

V
I eη ∗VT

I + I I

g = = = 0 = 0 ≈

r dV
η ∗ V K

η ∗VT

η ∗ VT

η ∗VT

r ≈ T =
I I

MODELOS DEL DIODO...
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