Diodos

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 1

CARACTERÍSTICA I – V DEL DIODO DE UNION

EQUIPO REQUERIDO
* Instrumentos : Multímetro digital (DMM).
* Componentes : Dos resistores de 1 K y dos de 1 M a 0.5 W y 5%; dos diodos de silicio 1N4004 y dos de germanio 1N60 o equivalente.
* Fuente DC.
* 1 cautín.PROCEDIMIENTO

1. Prueba del Diodo
Ejecute esta prueba al diodo de silicio y de germanio usando la función prueba de diodo del multímetro y escriba los resultados en la tabla 1.
Tabla 1.
Prueba | Si | Ge |
En directo | | |
En inverso | | |
Basado en los resultados de las mediciones diga cuál es el estado de los diodos.

2. Características I-V de los diodos polarizados en directoEn esta parte del experimento se obtendrán suficientes datos para graficar las características de los diodos de Si y Ge polarizados en directo.

a) Implemente el circuito de la figura 1. con la fuente DC ajustada en 0V. Mida el resistor y escriba su valor en el diagrama del circuito.

Figura 1.

b) Incremente el voltaje de la fuente hasta que en VR se lean los voltajes indicadosen la tabla 2, luego mida VD y calcule ID y escríbalos en dicha tabla.
Tabla 2. (Si)
VR(V) | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | 0.8 | 0.9 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
VD(V) | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
ID(mA) | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
c) Reemplace el diodo de silicio por el del germanio y repita elpaso b). Escriba los resultados en la tabla 3.
Tabla 3. (Ge)
VR(V) | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | 0.8 | 0.9 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
VD(V) | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
ID(mA) | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
d) Grafique ID versus VD en la figura 2. para los diodos de silicio y de germanio, iniciandolas gráficas en el origen del sistema. Identifique cada curva e indique claramente en ellas los puntos de la tabla usados para obtener la curva. Sea muy cuidadoso en la ubicación de dichos puntos.
e) Explique las similitudes y las diferencias entre estas curvas.

Figura 2.

3. Polarización en inverso
a) Implemente el circuito de la figura 3., mida el resistor y escriba su valoren el diagrama del circuito. Debido a que la corriente de saturación inversa es muy pequeña, es necesario usar la resistencia de 1 M para que el voltaje medido a través de ella tenga una magnitud mensurable.

Figura 3.
b) Mida el voltaje VR. Calcule la corriente de saturación inversa usando la fórmula : . Rm es la resistencia interna del multímetro y se debe tener en cuenta debido algran valor de la resistencia R. Si no conoce ese dato use típicamente el valor de 10 M. Escriba los resultados en la tabla 4.
c) Repita lo anterior para el diodo de germanio y escriba los resultados en la misma tabla.
Tabla 4.
| Si | Ge |
Rm | | |
VR (med.) | | |
IS (calculada) | | |
RD (calculada) | | |

d) Compare los resultados de IS y explique susdiferencias.
e) Determine la magnitud de la resistencia DC (RD) para los dos diodos y escriba los resultados en la tabla anterior.
f) Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para considerar al diodo como un circuito abierto si se usa en un circuito en serie con un resistor cuyo valor esté en un rango bajo de K.

4. Resistencia Estática (RD)
a) Usando la curva deldiodo de silicio de la figura 2. determine el VD correspondiente a los niveles de corriente indicados en la tabla 5. Luego determine RD para cada nivel de corriente y escríbalos en dicha tabla. Escriba cómo realiza estos cálculos.
Tabla 5.
| Si | Ge |
ID (mA) | VD | RD | VD | RD |
0.2 | | | | |
1 | | | | |
5 | | | | |
10 | | | | |

b) Cuál es la...