Electricidad automotriz

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Sistemas eléctricos, de seguridad y confortabilidad
Tema 6. Electricidad y electrónica

6.1 Historia

- Máquinas eléctricas - Relé electromagnético. - Ondas Hertzianas (radio) - Válvula de vacío - Semiconductores (transistor) - Circuitos integrados - Microprocesador

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6.2 Definición de electrónica

Ciencia que trabaja con el movimiento de loselectrones dentro de cuerpos semiconductores o conductores bajo ciertas condiciones La principal diferencia con la electricidad estriba en que esta se ocupa del flujo de electrones a través de conductores metálicos.

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6.3 Componentes básicos de un circuito electrónico

Semiconductores diodo transistor tiristor No semiconductores resistenciascondensadores bobinados
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6.3 Componentes básicos de un circuito electrónico

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6.3 Resistencia al paso de la corriente

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6.4 Constitución de la materia

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6.5 La unión de átomos entre si

•Enlace iónico Se establece entre átomos dedistinta naturaleza a base del robo de electrones de valencia de una a otra órbita. Ejemplo: El Cloro con el Sodio

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6.5 La unión de átomos entre si

•Enlace metálico Los átomos se desprenden de los átomos que les sobran y estos forma una nube electrónica que gira alrededor de los átomos. Tendrán facilidad de ceder electrones y conducir corrienteeléctrica Ejemplo: El Sodio, El Hierro

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6.5 La unión de átomos entre si

•Enlace covalente Se da en el caso de que dos átomos se ven en la necesidad de compartir sus electrones con los átomos vecinos. La molécula no puede ceder fácilmente electrones Ejemplo: El Oxígeno, Silicio

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6.6 Los semiconductores Lossemiconductores como el Si o el Ge (4 electrones de valencia) son malos conductores de la corriente eléctrica. ¿Que ocurre si les añadimos impurezas como As, Sb, P(5 electrones de valencia) o bien In, Ga, Al(3 electrones de valencia)? • Cristal N. Añadimos As, con 5 electrones de valencia, sobre el Ge (dopado)

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6.6 Los semiconductores • Cristal P.Añadimos In, con solo tres electrones de valencia sobre el Ge. Al aplicar una diferencia de potencial, se establece una corriente de huecos

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6.7 El diodo, la primera unión Dopamos una zona del cristal semiconductor de Germanio con impurezas de Indio (creamos huecos), y la otra zona con impurezas de Arsenio (creamos electrones libres) Se crea una zona en elcentro (Z) llamada zona agotada o zona de resistencia donde se han combinado los huecos del germanio P con los electrones del germanio N, con lo que aquí no hay portadores de carga. El diodo permancece en reposo

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6.7 El diodo, la primera unión Al aplicarle una diferencia de potencial positiva sobre la zona N, los huecos (positivos) se concentraran en elpolo negativo, y los electrones en el negativo, aumentando la anchura de la zona agotada, que se comporta como un semiconductor puro que no conduce la corriente

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6.7 El diodo, la primera unión Si polarizamos al contrario, al aplicarle una diferencia de potencial negativa sobre la zona N, los electrones de dicha zona son repelidos y se dirigen haciala zona Z, que se hace muy pequeña, la atraviesan y ocupan los huecos del cristal P, el cual cede continuamente electrones al polo positivo.

La resistencia de la unión PN depende del sentido de polarización. La zona P es el ánodo, y la zona P es el cátodo
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6.8 Características técnicas de los diodos

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