Electronica analogica

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«Alumno»

Trabajo Obligatorio ELECTRÓNICA ANALÓGICA
Mayo - 2010

FUNDACION SAN VALERO
SEAS, Centro de Formación Abierta
ZARAGOZA

Propuesta de trabajo

En la asignatura de electrónica analógica se han estudiado los transistores de unión bipolar (BJT). Con la realización de este trabajo pretendemos centrarnos en el segundo tipo más importante de transistores, el transistorde efecto de campo (FET, de Field-Effect Transistor).

Los FET son dispositivos unipolares porque, a diferencia de los transistores bipolares que usan corriente de electrones y huecos, operan solo con un tipo de portador de carga.

El transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente; es decir, la corriente de base controla la cantidad de corriente de colector. El FET es diferente.Se trata de un dispositivo controlado por voltaje, en donde el voltaje entre dos de las terminales (la compuerta y la fuente) controla la cantidad de corriente a través del dispositivo.

Los dos tipos principales de FET son el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET).

Contenidos a desarrollar:

1.Estructura y operación básicas de los transistores de efecto de campo de unión.
2. Comparación de los FET con los BJT.
3. Construcción básica del JFET. Características y parámetros más importantes.
4. Circuitos de autopolarización y de polarización de un JFET.
5. Aplicaciones de los JFET.
6. Construcción básica del MOSFET. Características y parámetros más importantes.
7. MOSFET deenriquecimiento y de empobrecimiento.
8. Circuitos de autopolarización y de polarización de un MOSFET.
9. Aplicaciones de los MOSFET.

Objetivos del trabajo

• Describir la estructura y operación básicas de los transistores de efecto de campo de unión.
• Explicar porqué los FET son dispositivos controlados por voltaje.
• Comparar los FET con los BJT.
• Describir laconstrucción básica del JFET.
• Describir las características y parámetros más importantes del JFET.
• Analizar los circuitos de autopolarización y de polarización de un JFET.
• Describir algunas aplicaciones de los JFET.
• Describir la estructura básica de los MOSFET y su diferencia con los JFET.
• Conocer los MOSFET de enriquecimiento y el MOSFET de empobrecimiento.
•Describir las características y parámetros más importantes del MOSFET.
• Analizar los circuitos de polarización de un MOSFET.

Bibliografía

• Manual de asignatura. SEAS.
• Principios de Electrónica, Albert Paul Maldivo, Mc. Graw Hill.
• Dispositivos Electrónicos, Tomas L. Floyd, Limusa Noriega Editores.
• Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos,Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Pearson Prentice Hall.
• Electrónica General, Cembranos Nistal, Florencio Jesús, International Thomson Editores Spain Paraninfo.
• Electrónica, Hambley, Alley R., Prentice Hall
• Electrónica. De los sistemas a los componentes, Storey Neil, Addison-Wesley. Grupo Pearson

SIMULADOR RECOMENDADO
Para dibujar los circuitos puedes utilizar elsimulador Workbench, cuya versión de estudiante puedes descargar en: www.electronicsworkbench.com/

Criterios de evaluación

La evaluación, es una componente fundamental de la formación. Este trabajo obligatorio formará parte de tú calificación final. En esta tabla, se resumen los aspectos a valorar y el porcentaje que representa cada unos de los mismos.

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|Estructuración, exposición,...
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