Electronica Analogica

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INSTITUTO TECNOLOGICO DE LEÓN

Practica 4:

Características transistores NPN, y PNP


MATERIA:

Electrónica Analógica



Equipo 1



CARRERA:

Ing. Mecatrónica

León Gto., 11 de octubre del 2011

















1.- Objetivo:

✓ Identificar tipo de transistor, sin tener la hoja técnica.

✓ Identificar las terminales del transistor sintener la hoja técnica.

✓ Medir y calcular algunas características como la α y β y compararlas con las proporcionadas en la hoja técnica.

2.- Introducción:

El propósito de esta práctica es emplear el equipo más básico que tenemos a la mano, en conjunción con la teoría que hemos revisado para poder obtener características técnicas, que son básicas para el diseño de nuestros circuitos ydispositivos electrónicos, con una fuente de DC.

Lo primero que se hará es identificar las terminales del transistor (emisor-base-colector) utilizando la escala de la prueba de diodos para poder determinar la conducción de las terminales del transistor y así determinar cuál es cada una de estas; un procedimiento similar es el utilizado para identificar el material del que está hecho y lapolaridad del mismo.



3.- Marco teórico:

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tienelugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunasaplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Transistor bipolar, de unión o BJT es lo mismo.

[pic]

Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor PNP.

Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor NPN

Las tres terminales son: E=Emisor, B=Base y C=Colector.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Los transistores PNP consisten enuna capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

Laflecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modoactivo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es...
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