Electronica

Páginas: 3 (689 palabras) Publicado: 18 de octubre de 2009
Escuela: Universidad tecnológica de Jalisco

Nombre: Miguel Antonio Martínez Arellano

Nombre del maestro: Gonzalo Guizar

Carrera: Electrónica y Automatización

Materia: Electrónica llGrado: 2º Grupo: A Turno: Matutino

Nombre de la práctica: Curvas de respuesta del transistor bjt

Fecha de entrega: 15 / SEP /09

Curvas SOA

Una de las curvas más importantes de untransistor es la curva del área de máxima seguridad "SOA" (Sfae Operation Area).
En funcionamiento en contínua, este área define la región de posibles combinaciones de IC/VCE dentro de la cual el punto detrabajo puede estar sin daño y sin disminución de la fiabilidad del transistor.
En la gráfica adjunta se observa cómo se mantiene el voltaje máximo a 700V y cómo se dan diferentes tiempos de pulso.Así, el área abarcada por un pulso de 10ms será menor que la que abarca un pulso de 1ms. Esto nos indica que el fabricante determina las características del área de seguridad dando pulsos de corrientesuperiores a la Is/b límite, pero de tiempo reducido para no deteriorar el transistor.

Otra forma de establecer el área de máxima seguridad es proporcionando la gráfica siguiente:
[pic]
TransistorBUD600 de Temic
Esta curva nos limita la extensión máxima permitida para pulsos repetitivos.
Curva de impedancia térmica
[pic]
Transistor BU2722DF de Philips

Relaciona la duración del pulso tpcon la impedancia térmica unión-contenedor (Zth).
El factor de trabajo D es el parámetro característico de esta curva; si la duración del pulso ton es pequeña, D también lo es, ya que se relacionanmediante D=ton/T, siendo T el periodo.
Como se puede apreciar, a partir de un cierto valor de pulso la impedancia térmica tiene un mismo valor para cualquier ciclo de trabajo, pasando a ser unaresistencia térmica unión-ambiente.

Curva de degradación de la potencia
[pic]
Transistor BU2722DF de Philips
Nos relaciona la variación de la temperatura del contenedor o cápsula con la máxima...
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