Eletronica

semiconductores
Introducción.

Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming.
Hoy en día existe una extensa gama de diodos,dependiendo de su uso y aplicación. Pero con el mismo principio de funcionamiento, un material semiconductor; que se ha ido perfeccionando a través del tiempo. Ya que vemos la evolución de aquellas válvulas de vació con pequeños dispositivos que cumplen la misma función solo que con el uso de dos tipos de materiales semiconductor básicamente (silicio o germanio).

En la siguiente práctica seconocerá los diferentes tipos de diodos (Común, Zener y Rectificador) y las diferentes condiciones que presenta cada uno de ellos y su posterior prueba de medición en diferentes polaridades, entre sus objetivos se encuentran evaluar bajo que circunstancias conducen los diodos y los efectos que causan las temperaturas en el mismo, también su forma de conducción en circuitos serie-paralelo dependiendo desu polaridades (directa-inversa).

Temario:

Los Diodo: Son componentes diseñados para permitir el paso de la corriente eléctrica en un sentido y bloquearlo en el sentido contrario. Físicamente ellos están conformados por dos capas de material semiconductor, uno llamado material P y otro material N y posee externamente dos terminales de conexión llamados ánodos (+) y cátodos (-).

Diodo pno Unión pn.

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, sonneutros. (Su carga neta es 0).
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Formación de la zona de carga espacial.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
Amedida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a lacorriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando unode los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Al extremo p, se le denomina ánodo, representándose por la letra A, mientras que la zona n, el cátodo, serepresenta por la letra C (o K).
|A (p) |[pic] |C ó K (n) |
|Simbologia |

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

Polarización directa

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En este caso, la batería disminuye la barrera de...