Esfuerzos elásticos y emisión no homogénea en estructuras dwell asimétricas.

Esfuerzos elásticos y emisión no homogénea en Estructuras DWELL asimétricas.

Agenda
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Introducción Condiciones Experimentales Resultados y Discusiones Experimentales ConclusionesReferencias

Introducción


Aplicaciones de estructuras de puntos cuánticos

Condiciones Experimentales


Los puntos cuánticos fueron crecidos mediante MBE en (100) Orientados a 2” del semiaislante AsGa. Se crearon un conjunto de 4 muestras variando la concentración x = 10-25%. Cada Isla se caracterizó por su dimension en la base de 15 nm y altura ~7nm con densidad superficial de 4.2 X1010 cm-2





InxGa1-xAs 7.5 nm

Proceso de Creación de la Estructura GaAs 70 nm
InAs 2.4 ML In0.15Ga0.85As 1 nm In0.15Ga0.85As 1 nm
GaAs 30nm
InxGa1-xAs 7.5 nm

Capa Colchón GaAsInxGa1-xAs 7.5 nm

Capa Colchón GaAs Ga As Sustrato

Capa Colchón GaAs Ga As Sustrato

3X

Capa Colchón GaAs
InxGa1-xAs 7.5 nm

Capa Colchón GaAs Ga As Sustrato
J.L Casas Espínola ©Discusión de resultados experimentales
300K

PL intensity (arb.units)

100

x=0.10 x=0.15 x=0.20 x=0.25



Intensidad de PL en comparación con la energía de emisión de las bandas de PL delGS

10

1.00

1.02

1.04

1.06

1.08

1.10

Emission Energy (eV)

300000 300K 250000 200000 150000 100000 50000 0 65.8 66.0 2 3 Ka1 Ka2 66.2 66.4 4 1

2 Theta (degrees)

Picosde XRD relacionados a la difracción de Kα1, Kα2 y Kβ de Cu en los planos (400) con diferente composición de In en las capas de recubrimiento

XRD peak Intensity (arb. un.)

(400) cristal plane2θ1 Material GaAs bulk [12] GaAs QW layer x=0.10 GaAs QW layer x=0.15 GaAs QW layer x=0.20 GaAs QW layer x=0.25 (degree) Kα1 66.044 66.08 66.05 66.06 66.07 1.414 1.414 1.414 1.414 1.414 d1, A 2θ2(degree) Kα2 66.225 66.27 66.25 66.25 66.26 2θ3 (degree) Kβ 59.005 59.06 59.00 59.04 59.05



Valores de los ángulos 2θ para las lineas de difracción de Kα1, Kα2 y Kβ del haz de rayos X.

XRD peak...