Fisica del Estado Solido. Semiconductores Intrinsecos y extrinsecos, movilidad y corriente de difusion
Páginas: 2 (388 palabras)
Publicado: 23 de marzo de 2013
Según la separación entre Bandas:
Conductores: Bv parcialmente llena
Aislantes: Bv completamente llena y existe un intervalo prohibido hasta la Bc
Semiconductores: Bv completamente llena, perocon un intervalo prohibido pequeño
Según su conductividad:
Metales: Magníficos conductores; 104 < σ < 106 y disminuye al aumentar la temperatura.
Dieléctricos: No conducen corriente; σ < 10-10 ycrece con la temperatura.
Semiconductores: tienen 10-10 < σ < 104 y crece con la temperatura.
Superconductividad: Cero resistencia eléctrica.
Conducción de corriente
Corriente de arrastre:Producida por dos tipos de portadores de carga
Electrones libres
Electrones que saltan entre enlaces (huecos). Los huecos se generan por dos procesos diferentes:
Producción natural. Como resultado degeneración térmica de pares electrón hueco.
Recombinación térmica. Formación de un enlace al unirse un electrón y un hueco. Debido a los aportes energéticos de origen térmico (T>0°K) algunoselectrones pasan de B v generando pares e/h.
Generación óptica. Ruptura de un enlace covalente que da lugar a un electrón y a un hueco. Requiere una fuente óptica.
PRODUCCIÓN ARTIFICIAL. Añadiendoimpurezas al semiconductor.
Aceptores. Átomos de valencia menor al de los átomos anfitriones. Producen huecos (TIPO P).
Donantes. Átomos de valencia mayor al de los átomos anfitriones. Producen electrones(TIPO N).
Corriente de difusión: Cuando en un semiconductor hay mayor concentración de portadores, es decir, existe un gradiente de concentración de portadores.
Problema 3.11 El zinc cristaliza enel sistema hexagonal compacto. Determínense los
parámetros de la red cristalina si su densidad es de 7136 kg/m3 y su masa atómica, Ma, 65.38
g..
Número de Avogadro = 6.023 1023 at./mol
Relaciónentre parámetros reticulares,
El número de átomos de la red hexagonal compacta será:
12 · 1/6 (vértices) + 2 · ½ (caras) + 3 (interior) = 6
y el volumen de la celdilla, considerando la densidad...
Según la separación entre Bandas:
Conductores: Bv parcialmente llena
Aislantes: Bv completamente llena y existe un intervalo prohibido hasta la Bc
Semiconductores: Bv completamente llena, perocon un intervalo prohibido pequeño
Según su conductividad:
Metales: Magníficos conductores; 104 < σ < 106 y disminuye al aumentar la temperatura.
Dieléctricos: No conducen corriente; σ < 10-10 ycrece con la temperatura.
Semiconductores: tienen 10-10 < σ < 104 y crece con la temperatura.
Superconductividad: Cero resistencia eléctrica.
Conducción de corriente
Corriente de arrastre:Producida por dos tipos de portadores de carga
Electrones libres
Electrones que saltan entre enlaces (huecos). Los huecos se generan por dos procesos diferentes:
Producción natural. Como resultado degeneración térmica de pares electrón hueco.
Recombinación térmica. Formación de un enlace al unirse un electrón y un hueco. Debido a los aportes energéticos de origen térmico (T>0°K) algunoselectrones pasan de B v generando pares e/h.
Generación óptica. Ruptura de un enlace covalente que da lugar a un electrón y a un hueco. Requiere una fuente óptica.
PRODUCCIÓN ARTIFICIAL. Añadiendoimpurezas al semiconductor.
Aceptores. Átomos de valencia menor al de los átomos anfitriones. Producen huecos (TIPO P).
Donantes. Átomos de valencia mayor al de los átomos anfitriones. Producen electrones(TIPO N).
Corriente de difusión: Cuando en un semiconductor hay mayor concentración de portadores, es decir, existe un gradiente de concentración de portadores.
Problema 3.11 El zinc cristaliza enel sistema hexagonal compacto. Determínense los
parámetros de la red cristalina si su densidad es de 7136 kg/m3 y su masa atómica, Ma, 65.38
g..
Número de Avogadro = 6.023 1023 at./mol
Relaciónentre parámetros reticulares,
El número de átomos de la red hexagonal compacta será:
12 · 1/6 (vértices) + 2 · ½ (caras) + 3 (interior) = 6
y el volumen de la celdilla, considerando la densidad...
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