Foto diodo
Páginas: 2 (375 palabras)
Publicado: 11 de junio de 2011
JAVIER LOAIZA ESCARRAGA
SEMICONDUCTOR SENSIBLE A LA LUZ
UNION PN POLARIZACION INVERSA
Semiconductor está expuesto a la luz a través de una cobertura cristalina y a veces en forma de lente,y por su diseño y construcción será especialmente sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja.
Todos los semiconductores tienen esta sensibilidad a la luz, aunque en el caso delos fotodiodos, diseñados específicamente para esto, la construcción está orientada a lograr que esta sensibilidad sea máxima.
En el fotodiodo la corriente que está en juego (y que varía conlos cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuandoel diodo es excitado por la luz.
Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de un fotodiodo es el material semiconductor que se emplea en la construcción. Los fotodiodos estánconstruidos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1μm), de germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox .1,8μm) y los hay de otros materiales semiconductores. Cuanto mayor es la cantidad de luz que incide en el fotodiodo, más intensa es la corriente que fluye a través del fotodiodo. Este fenómeno recibe el nombre de efecto fotoeléctrico interno.
En el efecto fotovoltaico, los fotones crean pares electrón-hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto provoca la creación de un potencial eléctrico en la unión PN, creandouna foto corriente.
El fotodiodo se conecta en serie con una resistencia. Si aumenta la corriente a través del fotodiodo a raíz de una mayor radiación luminosa, la caída de tensión aumenta en laresistencia. De ese modo se transforma la señal de luz en una señal de tensión.
En el foto diodo la corriente es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir,...
SEMICONDUCTOR SENSIBLE A LA LUZ
UNION PN POLARIZACION INVERSA
Semiconductor está expuesto a la luz a través de una cobertura cristalina y a veces en forma de lente,y por su diseño y construcción será especialmente sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja.
Todos los semiconductores tienen esta sensibilidad a la luz, aunque en el caso delos fotodiodos, diseñados específicamente para esto, la construcción está orientada a lograr que esta sensibilidad sea máxima.
En el fotodiodo la corriente que está en juego (y que varía conlos cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuandoel diodo es excitado por la luz.
Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de un fotodiodo es el material semiconductor que se emplea en la construcción. Los fotodiodos estánconstruidos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1μm), de germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox .1,8μm) y los hay de otros materiales semiconductores. Cuanto mayor es la cantidad de luz que incide en el fotodiodo, más intensa es la corriente que fluye a través del fotodiodo. Este fenómeno recibe el nombre de efecto fotoeléctrico interno.
En el efecto fotovoltaico, los fotones crean pares electrón-hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto provoca la creación de un potencial eléctrico en la unión PN, creandouna foto corriente.
El fotodiodo se conecta en serie con una resistencia. Si aumenta la corriente a través del fotodiodo a raíz de una mayor radiación luminosa, la caída de tensión aumenta en laresistencia. De ese modo se transforma la señal de luz en una señal de tensión.
En el foto diodo la corriente es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir,...
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