Funcionamiento básico de un fet

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Diapositiva 1
Transistores de efecto de campo (npn) drenador puerta fuente FET dispositivo de 3 terminales corriente e- de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo eléctrico generado por la puerta impedancia de entrada muy alta en la base
6.071 Transkstores de efecto de campo 1

colector base emisor BJT dispositivo de 3 terminales corriente e- del emisor al colectorcontrolada por la corriente inyectada en la base

Además de los transistores de unión bipolares (BJT) que hemos analizado hasta ahora, existen otros tipos de transistores. Un tipo de transistores de 3 terminales son los dispositivos de efecto de campo. En ellos, el parámetro de control es el campo eléctrico que atraviesa la unión, en contraposición a la corriente del BJT. Dado que un campo eléctrico seasocia a una tensión, la gran ventaja de los dispositivos de efecto de campo reside en la ausencia de necesidad de que exista una corriente en el elemento de control (la puerta). El resultado es una impedancia muy elevada y una corriente de fuga realmente pequeña. El dispositivo más sencillo de analizar es el transistor de unión de efecto de campo (JFET) que trataremos en primer lugar de formadetallada. El metal-óxido-semiconductor FET (MOSFET) desempeña un papel realmente importante en las implementaciones de lógica digital.

Diapositiva 2
Tipos de FET • Además del tipo portador (canal N o P), existen diferencias en la construcción del elemento de control (unión o aislante) y ambos dispositivos deben utilizarse de forma distinta npn FET de unión de agotamiento (JFET) pnp FET demetal-óxido-semiconductor (MOSFET) - agotamiento / enriquecimiento - enriquecimiento npn pnp

(los FET de puerta aislada (IGFET), son de funcionamiento equivalente a los MOSFET)
6.071 Transistores de efecto de campo 2

Al igual que ocurría con los BJT, existen dos tipos de transistores: npn y pnp. La diferencia reside en el portador mayoritario (electrones o huecos). Dado que los FET estáncontrolados por variaciones del campo eléctrico en la unión, es posible construir un condensador en el elemento de control y, de esta forma, reducir aún más la corriente de fuga. La estructura metal-óxido-semiconductor de un MOSFET a genera el condensador en la entrada del elemento de control (la puerta).

Diapositiva 3
Funcionamiento básico de un FET (1)

El ejemplo más sencillo de un JFET es elsilicio dopado N. fuente N drenador

fuente: terminal por el que entra la corriente portadora (portadores e- de tipo n) En este estado, el dispositivo se comporta simplemente como una resistencia. Por ello, la corriente circula a través del canal en proporción a la tensión de la fuente / drenador.

6.071 Transistores de efecto de campo

3

Comenzaremos describiendo el funcionamiento y elcontrol de un JFET. Básicamente, la acción de un JFET podría entenderse teniendo en cuenta un canal de conducción formado por silicio dopado n y dos terminales, uno en cada extremo. El dispositivo se convierte en una resistencia cuyo valor viene dado por el nivel de dopaje. Los tres terminales del JFET reciben el nombre de fuente, drenador y puerta. La fuente equivaldría al emisor del BJT y es elportador mayoritario. Así, en un material de tipo n, los portadores son electrones y la fuente es, por tanto, la fuente de los electrones. El drenador equivaldría al colector del BJT y, por tanto, la corriente portadora mayoritaria circula desde la fuente al drenador. De nuevo, el material de los portadores está formado por electrones y la corriente convencional circula en dirección contraria. Diapositiva 4
Funcionamiento básico de un FET (2) Se añade una estructura de puerta para formar un canal. puerta P fuente N drenador

puerta En realidad, las dos regiones de la puerta están conectadas entre sí para definir el canal por el que circula la corriente portadora. El control de la corriente del FET (la resistencia) se obtiene modificando el tamaño de las zonas de agotamiento que...
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