Informe sobre TRANSISTORES BJT

Páginas: 4 (815 palabras) Publicado: 25 de abril de 2013
INTRODUCCION.

En el siguiente trabajo se analiza el transistor bipolar y sus posibles configuraciones, tales como base común, colector común, emisor común y el amplificador diferencial que es uncircuito con dos transistores BJT que comparten la misma conexión de emisor.

Es importante tener una comprensión de lo que es el transistor, ya que gracias a aquello se puede entender la evoluciónde la electrónica digital en general. El transistor viene a reemplazar al denominado tubo de vacío teniendo muchas ventajas sobre este, tales como un menor consumo de corriente, menor tamaño(hoy endía ha sido posible incluso crear un transistor con dimensiones del diámetro de un átomo), menor tensión de alimentación y además su vida media es muy superior a la del tubo de vacío.

Un transistorbipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Está constituido físicamente por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector. El tipo más usado es el NPN, que es el quese usa en esta experiencia, pero el comportamiento de los transistores PNP se entiende como análogo.


Con lo anterior dicho, es suficiente para comprender que el transistor BJT (bipolar junctiontransistor) es ampliamente utilizado en la electrónica, por lo que resulta ser de un principal interés para el curso, damos paso así al desarrollo de este informe.






DESARROLLO INFORMEPREGUNTA 1

TRABAJO SIMULACIÓN

-Se analizó el punto de trabajo en MULTISIM para el siguiente circuito en base común, con beta=100:


Obteniendo el punto de trabajo:

Q(5,2 [V]; 1,128[mA])TRABAJO PRACTICO.

Para el mismo circuito, en el protoboard se procede a armar la misma configuración de base común, midiendo el punto de operación con el multímetro, esta vez con unbeta=176, los resultados obtenidos fueron:

Vce=5,1 [V]
Ic=1,157[mA]

Por lo cuál el punto de trabajo obtenido es Q(5,1[V]; 1,157[mA])




TRABAJO DE PREINFORME.

Para el trabajo de...
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