TRANSISTOR BJT




ECCI: ESCUELA COLOMBIANA DE CARRERAS INDUSTRIALES
Asignatura: APLICACIONES ELECTRÓNICAS-I Semestre: SEGUNDO
Guía No. Fecha:
Nombre: ______________________ Código: ____________

Objetivo general
Identificar y comprender el funcionamiento de los transistores.
Conocer y trabajar las clases de transistores así como sus configuraciones y demás.Objetivos específicos
Conocer acerca de la construcción de los transistores, así mismo como sus componentes internos.
Conocer y ser capaz de distinguir los diferentes símbolos del transistor.
Conocer e Interpretar la polarización de un transistor y así mismo conocer como se obtiene las diferentes corrientes a través de las diferentes partes del transistor.

MARCO TEORICO
TRANSISTOR
ElTransistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos demicroondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Construcción

Sustituto de válvula termoiónica de tres electrodos o tríodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. endiciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956.
El transistor de unión bipolar está formado por tres capas de silicio (o de germanio) de gran pureza, a las cuales se han añadido pequeñas cantidades de boro (tipo p) o de fósforo (tipo n). El límite entre cada capa forma una unión, que sólopermite el flujo de corriente desde p hacia n. Las conexiones a cada capa se efectúan evaporando aluminio sobre la superficie. El revestimiento de dióxido de silicio protege las superficies no metálicas. Una pequeña corriente que pasa a través de la unión base-emisor genera una corriente entre 10 y 1.000 veces superior entre el colector y el emisor. (Las flechas muestran una corriente positiva. No debentomarse literalmente los nombres de las capas).










El transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en la figura.
La zona inferior se denomina emisor, la zona central es la base y la zona superior es el colector. El transistor de la figura es un dispositivo npn porque hay una zona p entre dos zonas n.
Los portadores mayoritarios son electrones libres en losmateriales tipo n y huecos en los materiales tipo p.
Los transistores también se construyen como dispositivos pnp, este tiene una zona n entre dos zonas p. la guía se centrara en el transistor npn.

Figura. 1
Niveles de dopaje: el emisor esta fuertemente dopado, la base esta ligeramente dopada; así mismo el nivel de dopaje del colector es intermedio entre las dos anteriores. Físicamente elcolector es la zona más grande de las tres.
El transistor de la figura tiene dos uniones una entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por tanto, un transistor es similar a dos diodos contrapuestos. El diodo inferior se denomina diodo emisor-base o diodo emisor. El diodo superior se denomina diodo colector-base o diodo colector.
La figura 1 muestra las zonas del transistor antes deque ocurra la difusión. Cuando los electrones libres de la zona n se difunden a través de la unión y se re combinan con los huecos del lado p nos dan como resultado las dos zonas de deplexion mostradas en la figura.2. En cada una de estas zonas la barrera de potencial es aproximadamente 0.7v a 25°C para un transistor de silicio y 0.3 a 25°C para un transistor de germanio.

Transistor...