INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES AF
Páginas: 2 (414 palabras)
Publicado: 1 de octubre de 2015
INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
COMENTARIO
ALTA FRECUENCIA
RICHARD URIZAR OCHARAN2015
“Declaro haber realizado el presente trabajo de acuerdo a las normas de laUniversidad Católica San Pablo”
Explicación sobre lo aprendido la clase del laboratorio del día Jueves 24 de Septiembre
Nos explicó sobre el diseño e implementación de amplificadores de alta frecuenciaen tecnología LDMOS, en este nos explicó en una pequeña introducción que al encender una estación base LTE WiMAX no es un asunto trivial. Las aplicaciones inalámbricas ocupa la banda 5.8GHz de 3.5 GHzentre otros, que es demasiado alta en la frecuencia de los transistores de RF tradicionales y demasiado alta en el poder por la mayoría de los dispositivos de microondas.
Ademas nos enseño comotrabaja la tecnología LDMOS, su eficiencia y como esta polarizado, añadiendo también sobre como funcionan.
Luego se especificó un poco más sobre el MW7IC3825N/NB Smart Demoboard 4, este es un circuitointegrado de banda ancha está diseñado con adaptación on-chip que permite su uso 3.400-3.600 MHz, su estructura de múltiples etapas tiene una clasificación de 26 a 32 voltios de operación y cubretodas las modulaciones típicas de estaciones base celulares.
Aprendí que la posición correcta de utilizar el amplificador es mirando el logo, en este caso es el donde dice freescale así podremos saberque por donde se conecta.
Además se pudo observar el ampiflicador en modo real
Después de haber aprendido teóricamente, dimos paso a la práctica en la cual hicimos la polarización de medida decorriente de reposo en un amplificador de potencia.
Se conectó el circuito a dos fuentes de voltajes en la primera fuente se puso a 8 v y la corriente era pequeña ya que lo que se iba a hacer no pasaría...
INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
COMENTARIO
ALTA FRECUENCIA
RICHARD URIZAR OCHARAN2015
“Declaro haber realizado el presente trabajo de acuerdo a las normas de laUniversidad Católica San Pablo”
Explicación sobre lo aprendido la clase del laboratorio del día Jueves 24 de Septiembre
Nos explicó sobre el diseño e implementación de amplificadores de alta frecuenciaen tecnología LDMOS, en este nos explicó en una pequeña introducción que al encender una estación base LTE WiMAX no es un asunto trivial. Las aplicaciones inalámbricas ocupa la banda 5.8GHz de 3.5 GHzentre otros, que es demasiado alta en la frecuencia de los transistores de RF tradicionales y demasiado alta en el poder por la mayoría de los dispositivos de microondas.
Ademas nos enseño comotrabaja la tecnología LDMOS, su eficiencia y como esta polarizado, añadiendo también sobre como funcionan.
Luego se especificó un poco más sobre el MW7IC3825N/NB Smart Demoboard 4, este es un circuitointegrado de banda ancha está diseñado con adaptación on-chip que permite su uso 3.400-3.600 MHz, su estructura de múltiples etapas tiene una clasificación de 26 a 32 voltios de operación y cubretodas las modulaciones típicas de estaciones base celulares.
Aprendí que la posición correcta de utilizar el amplificador es mirando el logo, en este caso es el donde dice freescale así podremos saberque por donde se conecta.
Además se pudo observar el ampiflicador en modo real
Después de haber aprendido teóricamente, dimos paso a la práctica en la cual hicimos la polarización de medida decorriente de reposo en un amplificador de potencia.
Se conectó el circuito a dos fuentes de voltajes en la primera fuente se puso a 8 v y la corriente era pequeña ya que lo que se iba a hacer no pasaría...
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