Instalacion de sistemas electricos
Páginas: 4 (972 palabras)
Publicado: 4 de septiembre de 2012
Universidad Abierta Interamericana
Ingeniería en Sistemas Informáticos
[pic]
Electromagnetismo - Estado Sólido II
Trabajo práctico N° 2 – Curva característica del diodoCarrera: Ingeniería en Sistemas Informáticos
Profesor: Lic. Enrique Cingolani
Comisión: 5º B
Turno: Noche
Campus: Centro
Año: 2009
Alumnos: Arostegui, FedericoBayer, Karina
Del Pino, Juan
Farias, Diego
Índice
Síntesis 3
Introducción 3
Práctica 3
Elementos Utilizados 3
Desarrollo de la Experiencia. 4Parte A. 4
Parte B. 4
Conclusiones. 6
Síntesis
En este TP realizaremos el estudio de la juntura N-P y obtener la curva característica del diodo.
Introducción
El diodoesta formado básicamente por una juntura de semiconductores extrínsecos N (electrones como portadores mayoritarios) y P (huecos como portadores mayoritarios). La característica de esta juntura esdejar pasar corriente en un solo sentido (al sobrepasar su tensión umbral) y oponerse al paso en sentido inverso.
Existen dos formas de polarizar al diodo, en Directa y en Inversa. La polarizacióndirecta se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona P del diodo, y la parte negativa de la fuente a la zona N. Cuando la tensión aplicada al diodo supera la tensión de umbral(aproximadamente 0,7 V para el Si y 0,3 V para el Ge) el diodo conduce la corriente eléctrica.
La polarización inversa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona N del diodo, y la partenegativa de la fuente a al zona P. En esta polarización el diodo no conduce corriente eléctrica.
Práctica
Elementos Utilizados
Multímetro (2).
Protoboard.
Resistencia de 2KΩ (nosotros usamosuna de 2,2KΩ).
Fuente de Corriente Continua.
Diodos 1N4007 (nosotros usamos un 1N4004). Diodos para su verificación.
Desarrollo de la Experiencia.
Parte A.
Se realizó la medición con...
Ingeniería en Sistemas Informáticos
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Electromagnetismo - Estado Sólido II
Trabajo práctico N° 2 – Curva característica del diodoCarrera: Ingeniería en Sistemas Informáticos
Profesor: Lic. Enrique Cingolani
Comisión: 5º B
Turno: Noche
Campus: Centro
Año: 2009
Alumnos: Arostegui, FedericoBayer, Karina
Del Pino, Juan
Farias, Diego
Índice
Síntesis 3
Introducción 3
Práctica 3
Elementos Utilizados 3
Desarrollo de la Experiencia. 4Parte A. 4
Parte B. 4
Conclusiones. 6
Síntesis
En este TP realizaremos el estudio de la juntura N-P y obtener la curva característica del diodo.
Introducción
El diodoesta formado básicamente por una juntura de semiconductores extrínsecos N (electrones como portadores mayoritarios) y P (huecos como portadores mayoritarios). La característica de esta juntura esdejar pasar corriente en un solo sentido (al sobrepasar su tensión umbral) y oponerse al paso en sentido inverso.
Existen dos formas de polarizar al diodo, en Directa y en Inversa. La polarizacióndirecta se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona P del diodo, y la parte negativa de la fuente a la zona N. Cuando la tensión aplicada al diodo supera la tensión de umbral(aproximadamente 0,7 V para el Si y 0,3 V para el Ge) el diodo conduce la corriente eléctrica.
La polarización inversa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona N del diodo, y la partenegativa de la fuente a al zona P. En esta polarización el diodo no conduce corriente eléctrica.
Práctica
Elementos Utilizados
Multímetro (2).
Protoboard.
Resistencia de 2KΩ (nosotros usamosuna de 2,2KΩ).
Fuente de Corriente Continua.
Diodos 1N4007 (nosotros usamos un 1N4004). Diodos para su verificación.
Desarrollo de la Experiencia.
Parte A.
Se realizó la medición con...
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