Intel

Eficiencia en la Manufactura
Reducción de rechazos en la línea

Philip Horsfield

John Burtchaell John Hegarty

1

Intel Confidential

Retornos Inválidos
Uno puede dañar inadvertidamente los productos de Intel durante la integración. El daño puede no ser cubierto por una garantía estándar. Este es un problema que puede costarle mucho dinero y tiempo. Este webinar puede ser útil paraaquellos que regularmente manipulan componentes y habla de:
– Tipos de daños. – Ejemplos de daños inducidos. – Técnicas que pueden ayudar a prevenir o reducir los daños.

2

Intel Confidential

Descripción de los Tópicos
Prevención del Estrés Eléctrico (EOS) y Descarga Electrostática (ESD) Instalación del Procesador LGA775 Manejo de Tarjetas. Guías prácticas para un buen empaque embarque.3

Intel Confidential

Estrés Eléctrico (EOS)
– Más rechazos y costos de producción más altos. – Ganancias Reducidas – Fallas de producto latentes – Clientes insatisfechos

4

Intel Confidential

Estrés eléctrico EOS

5

Intel Confidential

Estrés eléctrico EOS

6

Intel Confidential

Estrés eléctrico EOS
Causas
– Dispositivos “Hot Swap” o de intercambio rápido:
– –No haga Hot Swap a: Memorias, Procesador, Discos Duros, VGA, ni Teclado Sí se puede hacer Hot Swap: USB, Red.
*Nota: Algunas partes de servidores han sido diseñadas para poder realizar un “hot swap”. Verificar con las capacidades y especificaciones del fabricante.

– – – – –
7

Dispositivos mal puestos:
– – – – – – – Inserción incorrecta Presencia de cortos en los pines de los conectoresTornillos sueltos Partes del chasis, gabinete o carcaza. Cables de potencia y conectores sueltos. Protección para los sistemas de CA Conectores IEC

Material extraño: Mal manejo del cableado: Picos de voltaje: Descarga electrostática (ESD)
Intel Confidential

Estrés eléctrico EOS
Prevenciones Recordatorios visuales para el manejo e inserción correcto de los dispositivos. Precaución con laalimentación eléctrica principal.
– Nunca hacer hot swap a los dispositivos. – El modo Stand-By o en espera es engañoso. – Apagar totalmente al adicionar o remover dispositivos.

Evitar el contacto con la batería y con el socket o zócalo de la batería. Precauciones de descarga electrostática (ESD).
8

Intel Confidential

Estrés eléctrico EOS
Prevenciones
Evite:
– Hot Swap de dispositivos– Inserción incorrecta de dispositivos – Material extraño en la tarjeta/placa madre o en los conectores.

Alimentación principal:
– Al ensamblar: conectar el AC al último. – Al desarmar: desconectar primero el AC. – Usar el interruptor de la fuente de poder para proteger los contactos IEC.

Equipo de prueba:
– Colocación precisa del probador. – Evite hacer corto circuito. – Eqipo de pruebasfino.

Controles de mantenimiento:
– Equipo aterrizado – Protección contra picos de voltaje

9

Intel Confidential

Descarga Electrostática (ESD)
La Descarga Electrostática (ESD) es una transferencia repentina de carga eléctrica entre dos cuerpos con diferente potencial electrostático, ya sea por contacto directo o a través de un campo eléctrico inducido.
Por Inducción

Un objetocargado se acerca a otro objeto cargado con un potencial diferente.
Por contacto

Las cargas buscan equilibrarse y un evento de ESD ocurre.

10

Intel Confidential

Descarga Electrostática (ESD)
El peligro se esconde!
– Algunos dispositivos pueden ser dañados instantáneamente. – Otros pueden ser sólamente lastimados.

Puede que Ud. no sienta, no vea o no oiga la descargaelectrostática!
Un humano puede: verla > 8000 Volts escucharla > 6000 Volts sentirla > 3000 Volts

11

Intel Confidential

Descarga Electrostática (ESD)
Causas – Por fricción (carga triboeléctrica) – Por inducción
– Cuando la humedad es baja, cargas estáticas más altas se pueden generar.

12

Intel Confidential

Descarga Electrostática (ESD)
Prevención
El Control de aterrizado va a prevenir...