Investigacion


Centro de estudios tecnológico industrial y de servicios N° “72”
Especialidad: Electrónica
Modulo: Mantiene sistemas electrónicos operados por microcontroladores
submodulo: Mantiene sistemas electrónicos de uso comercial
Docente: Hilario Blanco Carrasquedo
Nombre: José Benjamín Santiago García
Grado y grupo: 5° “H”
A 23 de septiembre de 2015Dispositivos electrónicos de potencia
La expresión electrónica de potencia se utiliza para diferenciar el tipo de aplicación que se le da a dispositivos electrónicos, en este caso para transformar y controlar voltajes y corrientes de niveles significativos. Se diferencia así este tipo de aplicación de otras de la electrónica denominadas de baja potencia o también de corrientes débiles. Eneste tipo de aplicación se reencuentran la electricidad y la electrónica, pues se utiliza el control que permiten los circuitos electrónicos para controlar la conducción (encendido y apagado) de semiconductores de potencia para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia. Esto al conformar equipos denominados convertidores estáticos de potencia. De esta manera, la electrónica depotencia permite adaptar y transformar la energía eléctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energía eléctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de máquinas eléctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrónicos, principalmente semiconductores.
Los dispositivos semiconductores utilizadosen electrónica de potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos:

Dispositivos no controlados: En este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo.
Dispositivos semicontrolados: En este grupo se encuentran, dentro de lafamilia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, setiene control externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.
Dispositivos totalmente controlados: En este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate BipolarTransistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.

Los semiconductores de potencia son:
Diodos de potencia
Rectificador controlado de silicio (SCR en inglés)
Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT)
MOSFET de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada(IGBT)
Transistor de inducción estática(SIT)


Los Tiristores pueden subdividirse en ocho tipos:
Tiristor deconmutación forzada
Tiristor conmutado por línea
Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
Tiristor de conducción inversa (RTC)
Tiristor de inducción estático (SITH)
Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)
Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)
Tiristor controlado por MOS (MCT)
Triac

Diodo de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de suslímites de tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser significativos para componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas más elevadas). Los diodos son interruptores...