Materiales
* SEMICONDUCTORES INTRINSECOS:
* Cuando se encuentra enestado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura.
* SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:
* Estos se forman al agregar, intencionadamente, a unsemiconductor intrínseco sustancias dopantes. Su conductividad dependerá de la concentración de esos átomos dopantes.
* Semiconductor tipo N:
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo unproceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante esañadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de suselectrones.
Semiconductor tipo P:
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores decarga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido , éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante estambién conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
UNION PN
* Se denomina unión P-N a la estructura fundamental de loscomponentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunquetambién se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,...
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