Memorias

EPROM
(Erasable Programmable ROM) ROM programable y borrable.Son las más populares, y su aspecto es muy característico, en efecto se presenta como un circuito integrado normal, pero con una cubierta de cuar-zo al vació de forma que el chip pueda ser alcanzado por las radiaciones ultra-violetas. Las Eprom / Rprom y las Earom.Son memorias de solo lectura, pro-gramables por el usuario, y que puedenprogramarse repetidamente. La única diferencia entre ellas radica el procedimiento de borrado previo a toda opera-ción de reprogramación. Las EPROM / RPROM se borran exponiéndolas du-rante unos minutos a rayos ultravioletas, que ponen a 0 todas las celdas de la memoria:
Las EPROM se realizan con muy diversas técnicas; las mas corriente es la de-nominada *gate flotante. Se acumula una carga en ungate de silicio policris-talino que flota sobre un sustrato, también de silicio, pero aislado por una capa de bióxido de silicio. Este tipo de memorias EPROM puede mantener memo-rizada la información durante un mínimo de 10 años con una perdida no supe-rior al 20 por 100.

Las memorias de tipo EEPROM tienen como principal cualidad el permitir el almacenamiento y la sobre-escritura de datos pormedio de los voltajes de operación norma de los circuitos electrónicos, además sostienen la información por muchos años sin fuente de alimentación. Podemos encontrar circuitos integrados de memorias EEPROM paralelas, compatibles pin a pin con circuitos con circuitos de memoria RAM o de memoria EPROM. Este tipo de memorias precisamente por ser de interfaz paralela, tiene muchos pines externos pormedio de los cuales recibe y entrega los datos y permite el direccionamiento de las distintas posiciones de almacenamiento. Debido a esto, los circuitos integrados son de gran tamaño físico, impidiendo ser utilizados en aplicaciones que requieran tamaño reducido.
Con las memorias EEPROM de interfaz serial, el control se ha reducido solamente a unos cuantos pines que son utilizados para entrada osalida de datos en forma serial( 1 ó 2 pines ), habilitación ( 1 pin ), reloj de sincronismo ( 1 pin ), direccionamiento de dispositivo (3 pines) que no existen en la interfaz paralela y por último los pines de alimentación del circuito ( 2 pines ). Los datos y la dirección de las posiciones de memoria utilizarán únicamente uno o dos pines, dependiendo de el tipo de comunicación utilizada ( dos otres hilos ). La velocidad de transferencia de datos puede variar desde lo 100 KHz hasta los 600 MHz, dependiendo del tipo de memoria y del sistema de comunicación utilizados.
Descripción de las memorias: Existen dos tipos de memoria EEPROM seriales, un a de ellas es la serie 24LCXX, que corresponde a los dispositivos de comunicación serial de dos hilos y la serie 93LCXX que se comunica a travésde tres hilos. Cada una de las memoria utiliza protocolo de comunicación serial que depende de la acción a ejecutar, es decir, si se va a leer un dato, a escribir o se va a enviar una dirección. El programa que ejecuta el computador deberá seguir paso a paso la secuencia de el protocolo dependiendo de el tipo de memoria que se desea programar o leer.
Si a memoria tiene más de 256 posiciones eldireccionamiento se hace por medio de página siendo las 256 la página 0 (cero), las posiciones 256 a 511 la página 1 y así sucesivamente. Dentro de la información que se debe enviar a las memorias seriales se incluye uno o varios bits correspondientes a los números de página de la memoria

CACHE
El sistema de memoria cache está diseñado especialmente para servir al apropiado yorganizado almacenamientode información en una computadora. Su función es básicamente mantener de manera temporal y accesible aquellos datos que son requeridos para realizar determinadas funciones o tareas. Esta disponibilidad  permite que cada programa o archivo tenga inmediato acceso a la información necesaria y pueda así dedicarse a subir el nivel de eficiencia de las funciones normales. De tal modo, la memoria...