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Páginas: 13 (3011 palabras) Publicado: 22 de enero de 2011
ELECTRÓNICA/ELECTRONIC
Ing. E. Sergio Vázquez Castaño

2. DISPOSITIVOS EN ESTADO SÓLIDO.
2.1 Materiales semiconductores.
La denominación semiconductor advierte en sí misma sus características. El prefijo semi es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos límites.

El término conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo generoso de carga cuando una fuente de voltajede magnitud limitada se aplica a través de sus terminales.

Un aislante o dieléctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de conductividad cuando se encuentra bajo la presión de una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un dieléctrico y de un conductor.

Estassustancias se denominan semiconductores porque su resistencia específica está entre la de los conductores eléctricos (metales) y la de los no-conductores. La conductividad se puede alterar notablemente mediante la adición de sustancia extrañas o por otras influencias, por ejemplo, por la incidencia de la luz, por campos eléctricos o magnetismo.

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Ing. E. Sergio Vázquez CastañoLos materiales semiconductores utilizados en la técnica son casi exclusivamente elementos (silicio o germanio) o combinaciones químicas, por ejemplo, arseniuro de galio o antimoniuro de indio, que cristalizan en una red como el diamante. Aquí cada átomo está rodeado por cuatro átomos directamente adyacentes.

Los materiales semiconductores (tabla) han de ser extraordinariamente puros.Utilizando procedimientos especiales tales como la formación de cristales por crecimiento de monocristales

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Ing. E. Sergio Vázquez Castaño

y la fusión por zonas se logran en la preparación unos grados de pureza en los que hay un solo átomo extraño por cada diez 1010 átomos.

El silicio es hoy día el elemento más importante utilizado en la técnica de los semiconductores.Más del 90% de todos los componentes semiconductores están fabricados a partir de silicio. Hay tres motivos por los que se prefiere este material:    Los componentes de silicio soportan temperaturas más elevadas (150°C) que, por ejemplo, los semiconductores de germanio (75°C). La depuración y el cultivo de los cristales de silicio se dominan muy bien, por intervenir un solo elemento. Atemperaturas elevadas, el silicio se recubre de una capa de óxido (SiO2) muy resistente, que es un aislante excelente.

Otros materiales semiconductores se emplean únicamente en aquellos casos en que las propiedades del silicio resultan más desfavorables. Por ejemplo, el germanio tiene un comportamiento más ventajoso a frecuencias elevadas, y el arseniuro de galio empleado como semiconductor de unión poseemayor movilidad de los portadores de cargas.

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Ing. E. Sergio Vázquez Castaño

Estructura atómica. El núcleo de un átomo de silicio contiene 14 protones y 14 neutrones. Está rodeado de una envoltura de electrones que en la capa más interior lleva 2 electrones, en la intermedia lleva 8 electrones y en la capa exterior lleva 4 electrones. Solo los 4 electrones exteriorespueden intervenir en un enlace químico. Por eso se denominan electrones de valencia.

Cuando se unen entre sí átomos iguales, se produce un enlace atómico. Los dos átomos están entonces tan próximos que sus envolturas se penetran mutuamente. Entonces sendos electrones exteriores son atraídos por el núcleo propio y por el núcleo del átomo adyacente. Cada dos electrones pertenecen, por lo tanto,simultáneamente a ambos átomos. Se habla de una pareja de electrones común. Con este enlace, los cuatro electrones exteriores de un átomo de silicio pueden unir así otros cuatro átomos de Si.

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Ing. E. Sergio Vázquez Castaño

2.2 Semiconductores intrínsecos y disponibles tipo P y tipo N.
Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe...
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