PRAC6 CARACTERIZACI N DEL TRANSISTOR BJT

Práctica
CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones,
haciendo uso de gráficas, análisis de los circuitos y de la interpretación de las
mediciones.
TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA
 Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los transistores bipolares
de silicio ygermanio.
 Realizar la simulación de los circuitos para obtener las curvas características eléctricas de
los transistores bipolares de (Si y Ge).
 Traer hojas de especificaciones de los transistores bipolares de (Si y/o Ge) que se
emplearán el la práctica.
 Consultar las hojas de especificaciones del fabricante, para obtener las características de
funcionamiento del transistor (Si ó Ge) que seva a emplear en la práctica.
 Traer los circuitos armados.
MATERIAL: (anotar el material utilizado en la práctica)

Elizabeth Arévalo González -2015

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CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

DESARROLLO:
1. Obtención de información de las hojas de especificaciones del fabricante.
1.1 Consultar el manual del fabricante de transistores bipolares (BJT), para obtener las
especificacionesde funcionamiento (características eléctricas del transistor), como:
esquema con terminales; voltajes de las uniones; corrientes; potencia, ganancia en
corriente, frecuencia, corrientes de fuga, voltaje de colector a base con emisor abierto,
voltaje de base a emisor con colector abierto, entre otros, así como las características de
polarización de las uniones, para las diferentes regiones deoperación del transistor.
1.2 Realizar un dibujo (isométrico) del encapsulado de los transistores, indicando la ubicación
de las terminales colector, base y emisor.

1.3 Realizar una tabla en la que se reporte la información obtenida de los manuales de
fabricantes.
2. Caracterización de los transistores bipolares (de silicio ó de germanio), para obtener la
gráfica de entrada del transistor bipolar enCA.
2.1 Gráfica de entrada (características eléctricas de entrada).
2.1.1 Armar el circuito como se indica en la figura 1, para obtener las gráficas de entrada del
transistor (graficador XY, ambos canales en CD) a temperatura ambiente y dibujar en la
gratícula ó en el papel milimétrico.
2.1.2 Realizar y reportar las mediciones que se indican en la tabla. A partir de la gráfica
correspondiente, paradistintos voltajes de VCE. La señal de la fuente de alimentación (VS)
de CA se tomará del generador funciones, seleccionando la señal senoidal con máxima
amplitud, con una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y 1KHz. La fuente de
polarización VCC se tomará del variac en CD. La resistencia de base puede ser de 100KΩ
o de un valor más pequeño, pero no menor de 10KΩ para no dañar el transistor.Los
resistores que se empleen deben ser a ½W o 1W. Para medir el VCC, el VCE, el VCB,
emplear el multímetro en V de CD. Para medir las corrientes IC e IE, colocar el multímetro
en corriente de CD. Primeramente colocar el Vóltmetro entre las terminales del transistor
colector y emisor; variar la fuente para que el medidor registre el valor que se muestra en
la tabla 1, posteriormente se realizaránlas otras mediciones, que se piden en la tabla 1;
para cada valor de VCE.
Tabla 1. Transistor bipolar de Silicio ó Germanio
VCE

VCC

VBEpol dir
VBEpol dir mín

VBEpol inv

IB

IC

IE

VCB

VBEpol dir máx

0V
0.5V
5V

Elizabeth Arévalo González -2015

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T
+

Vs
_

VCC

+
CHX _
RB=10K

RC=1K

_
+
CHYinv

Fig. 1 Circuito para obtener la gráfica
deentrada del Transistor.

Gráfica de entrada del Transistor a
temperatura ambiente

2.1.3 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.
2.2.1 Con el circuito anterior sin modificar con VCE=5V, variar la frecuencia del generador.
Observar que pasa en las gráficas (en modo graficador XY), y anotar los cambios
observados en la gráfica.
2.2.2 Del circuito anterior acercar un cerillo encendido al...