Practica de electronica transistores

Instituto Tecnológico Superior de Zapotlanejo

Ingeniería Electrónica

Reporte de la práctica No. 4

CIRCUITO DE POLARIZACION DE CD INDEPENDIENTE

Nombre del alumno: Lopez Serrano joselNombre del profesor: Raúl Alcaraz

Fecha de realización: 14 de mayo 2009

Firma de calificación: _________________


CARRERA | PLAN DE ESTUDIO | CLAVE DE LA ASIGNATURA | NOMBRE DE LAASIGNATURA |
Ingeniería Electromecánica | 2004 | ECL1659 | Electrónica 1. |
PRACTICA No y TIPO. | LABORATORIO DE: | Electrónica | DURACION EN HORAS: |
1 Diseño libre – especifico. | NOMBRE DE LAPRACTICA: | Circuito de polarización de cd independiente | 2 |

1.- OBJETIVO O COMPETENCIA |
* Determinar el valor de β mediante cálculos realizados. * Obtener la medición de Ic, Ib, Vc-e. encada circuito para transistor 2N222 y 547B NPN * Comprobar resultados. |
2.- FUNDAMENTOS |
TransistorEs un dispositivo semiconductor de 3 capas, compuesto ya sea de 2 capas de material tipo Ny 1 de tipo P; o 2 capas de material tipo P y 1 de tipo N.El primero se denomina transistor de material NPN y el segundo recibe el nombre de transistor PNP.C C NPN B PNP BE E |
3.- PROCEDIMIENTO |
EQUIPO | MATERIAL |
* Fuente de voltaje (cd) * Protoboard * Multimetro |1. 1 transistor NPN 547B 2. 1 transistor NPN 2N222 3. Resistencias( 39kΩ, 1.2kΩ, 2.1 kΩ, 10k Ω, 1.5k Ω ) |
DESARROLLO DE LA PRACTICA |
Armar en circuito de la figura, utilizando el protoboard Hacer las mediciones con el multimetro en Ic, Ib, Vc-e.Aplicando un voltaje inicial de 20vTuvimos que utilizar resistores en serie para llegar a los valores determinados en el circuito en...