Electrónica (Transistores)

El campo de Junction Transistor de Efecto (JFET) ofrece impedancia de entrada muy alta, junto con figuras de ruido muy bajos. Es muy adecuado para aplicaciones de audio extremadamente bajo nivel como en preamplificadores de audio. El JFET es más caro que los transistores bipolares convencionales, pero ofrece un rendimiento global superior. A diferencia de los transistores bipolares, la corrientepuede fluir a través del drenaje y la fuente en cualquier dirección por igual. A menudo, el drenaje y la fuente se puede invertir en un circuito con un efecto casi nulo en el funcionamiento del circuito.

 Transconductancia

La capacidad de un JFET para amplificar se describe como trans-conductancia y es simplemente el cambio en la corriente de drenaje dividido por el cambio en el voltaje depuerta. Se indica como Mhos o Siemens y es típicamente 2.5mmhos a 7.5mmhos para el transistor MPF102. Debido a la alta impedancia de entrada, la puerta se considera un circuito abierto y no consume energía de la fuente. A pesar de la ganancia de tensión parece ser bajo en un JFET, ganancia de potencia es casi infinita.

Escurrir Características

Aunque no hay voltaje en la puerta, unacantidad sustancial de la corriente fluirá desde el drenaje a la fuente. De hecho, el JFET en realidad no se apagan hasta la puerta va varios voltios negativos. Esta corriente de la puerta cero de tensión a través del drenaje a la fuente es cómo la tendencia se encuentra en el JFET. La resistencia R3, que aparecen en el diagrama anterior, se limita a fijar la impedancia de entrada y asegura cerovoltios aparece a través de la puerta sin señal. Resistencia R3 no hace casi nada para los voltajes reales de polarización del circuito. Cuando el voltaje de la puerta se hace positiva, drenar corriente aumentará hasta el desagüe mínimo de resistencia de la fuente se obtiene y se indica a continuación:
Mínimo RDS (on) o Sobre la resistencia del Estado

El valor anterior se puede determinar mediantela lectura de las hojas de especificaciones para el transistor seleccionado. En los casos en que no se sabe, es seguro asumir que es cero. La característica importante es la corriente máxima de drenaje absoluta. A continuación se enumeran absolutos corrientes de drenaje máximos para algunos de los canales comunes de la N-transistores:

MPF102 - 20ma
2N3819 - 22mA
2N4416 - 15mA
Cuando sediseña un circuito JFET, es muy recomendable para evitar que el máximo absoluto de la corriente de la superación en todas las condiciones. En los cálculos de diseño. nunca utilizar más de 75% de la fuga de corriente máxima especificada por el fabricante.

JFET Diseño Ejemplo 1

Para el ejemplo de diseño en primer lugar, vamos a utilizar un transistor con un MPF102 Vcc de 12 voltios. Vamos apermitir que no más de 5 mA de corriente de drenaje bajo ninguna circunstancia. Para la resistencia R3, la resistencia de la puerta, vamos a utilizar 1 Meg para una muy alta impedancia a través de la puerta. La resistencia de la puerta en cualquier lugar es normalmente de 1 Meg a 100K. Los valores más altos permiten el JFET para amplificar señales muy débiles, sino que requieren medidas para evitaroscilaciones. Los valores más bajos mejorar la estabilidad, pero tienden a reducir la ganancia. A veces el valor de esta resistencia se debe ajustar para adaptación de impedancia en función del tipo de fuente de la señal en cuestión. Debido a que sólo permite 5 mA de corriente a través del drenaje a la fuente, vamos a calcular la resistencia total de las resistencias R1 y R2. Vamos a asumir elmínimo de RDS (on) que es cero.

Vcc = 12
Mínimo RDS (on) = 0
Ids = 5 mA

(Vcc - (RDS mínima de un (a) * Ids)) / IDS = Resistencia total de R1 y R2
(12 - (0 * 0.005)) / 0.005 = 2400 ohmios

Para calcular R2, se debe seleccionar la caída de tensión deseada a través de esta resistencia. se establece normalmente entre 20 a 30% de Vcc. Para este ejemplo se establece R2 a 25% de la tensión de...