Practicas con transistores

ELECTRÓNICA ANALÓGICA |
DANIEL ABRIZ LUCIANO
SERGIO CABRERA BRIZ
CÉSAR ANTONIO MONTERO PAIS

UPT | REPORTE DE PRÁCTICAS |

HOJA DE DATOS TRANSISTOR BC 548












ÍNDICE

PRÁCTICA 1………………………………………………………………..
Descripción práctica 1 5
Material a utilizar 5
Simulación de la práctica 5
Desarrollo de la práctica 6
Conclusiones7
Bibliografía, referencias 7
PRÁCTICA 2……………………………………………………………….
Descripción práctica 2 8
Material a utilizar 8
Simulación de la práctica 8
Desarrollo de la práctica 9
Conclusiones 9
Bibliografía, referencias 9PRÁCTICA 3……………………………………………………………….
Descripción práctica 3 10
Material a utilizar 10
Simulación de la práctica 10
Desarrollo de la práctica 10
Conclusiones 11
Bibliografía, referencias 11

PRÁCTICA 4……………………………………………………………….
Descripción práctica 4 12Material a utilizar 12
Simulación de la práctica 12
Desarrollo de la práctica 13
Conclusiones 13
PRÁCTICA 5……………………………………………………………….
Descripción práctica 5 14
Material a utilizar 14
Simulación de la práctica 14
Desarrollo de la práctica 15
Conclusiones 15
PRÁCTICA 6………………………………………………………………
Descripción práctica 1 16
Materiala utilizar 16
Desarrollo de la práctica 16
Conclusiones 18

DESCRIPCIÓN PRÁCTICA 1
El transistor es un dispositivo de tres terminales que se denominan base, colector y emisor, que tiene la propiedad de poder controlar a voluntad, la intensidad de corriente que circula entre dos de ellas (colector y emisor), a través de la acción de una pequeña corriente, mucho más bajaque la anterior, aplicada a la tercer terminal (base).
Dentro de los transistores, existen distintas clases de ellos, que se fabrican con diferentes tecnologías y que tienen características y propiedades físicas diferenciadas. Estos son los transistores bipolares, fet, mosfet y uniunion. En el presente trabajo se utiliza un transistor bipolar únicamente.
La estructura física del transistorbipolar consta de dos uniones del tipo pn dispuestas una a continuación de la otra. Entre los terminales emisor y base hay una de esas uniones (unión emisora), mientras que la restante se ubica entre el colector y base (unión colectora).
Hay dos clases de transistores bipolares: el npn y el pnp. En el npn el emisor y colector son semiconductores de tipo n mientras que la base es de tipo p, y loopuesto ocurre en el transistor bipolar pnp.
Así que el objetivo de éste reporte es lograr una descripción general del funcionamiento del transistor, así como sus diferentes aplicaciones en los siguientes circuítos.

MATERIAL A UTILIZAR
Protoboard
Resistencia de 10 K ohm y de 1 k ohm
Fuente de voltaje
Transistor BC548,2N3904
Osciloscopio
SIMULACIÓN
En ésta parte de la simulación podemosver que IE=IC+IB
Es decir 87.89mA=87.47mA+.41802mA

En ésta otra parte del mismo circuito vemos que la ganancia de voltaje es de aproximadamente 1.5 puesto que:VcVb=1.24V.81977V=1.5
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
Para el desarrollo de la práctica armamos los circuitos anteriormente simulados por lo que los resultados deben ser cercanos a la realidad que quedan establecidos de la siguienteforma:

IB=927.75 µA
IC=4.99 mA
IE=IB+IC=5.92 mA
β =IC/IB=.8429

CONCLUSIONES DE LA PRÁCTICA
Se logró caracterizar al transistor bipolar de tipo npn como amplificador que se distingue debido a que dentro de ésta zona la corriente de colector es β veces más que la de base.
BIBLIOGRAFÍA, REFERENCIAS
http://focuslab.lfp.uba.ar/public/Electronica/Informes/Transistores_Jesiotr-Bernatene-Winograd.PDF...