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MEMORIAS ROM

Contenido:

1- MEMORIAS (Introducción)
2- IMPLEMENTACIÓN CIRCUITAL DE SISTEMAS LÓGICOS con memorias PROM
3- DATOS DE MANUAL

MEMORIAS

Se denomina “elemento de memoria” a cualquier dispositivo que tenga capacidad para “recordar” información almacenada en el mismo, durante un intervalo de tiempo relativamente grande. El elemento básico de memoria es aquel cuya capacidades la de recordar un bit de información, es decir, almacenar un 1 o un 0 hasta tanto esa información sea modificada desde el exterior. Es el caso de los circuitos biestables o “ flip flop”.

La necesidad de contar con elementos capaces de almacenar información en grandes cantidades lleva al desarrollo de distintos tipos de elementos de almacenamiento masivo, estructurados físicamente de acuerdocon la prestación que de ellos se requiere.

Por otra parte, las modernas técnicas de integración en gran escala permiten la compactación cada vez mayor de los medios semiconductores de almacenamiento de información, logrando así la posibilidad de estructurar sistemas de memoria cuya complejidad exterior no es proporcional al crecimiento de la capacidad de almacenamiento.

TIPOS DE MEMORIAPueden clasificarse según:

1- Tipo de acceso a la memoria para obtener o modificar la información almacenada
2- Persistencia de la información almacenada
3- Principio de funcionamiento
4- Tipo de tecnología usada para la fabricación
5- Tipo de utilización

1) Según el TIPO DE ACCESO:

a) SAM (Sequential Access Memory: memoria de acceso secuencial)
El tiemporequerido para acceder a la información depende de la ubicación de la información dentro de la memoria, ya que el acceso se debe realizar en un orden determinado. (Ej: registro de desplazamiento, cinta magnética)

b) RAM (Randon Access Memory: memoria de acceso directo al azar). El tiempo de acceso es independiente de la ubicación de la información de la memoria. Cada celda de memoria se distinguepor una DIRECCIÓN.

c) CAM (Contents Adressable Memory: memorias asociativas). La información almacenada se obtiene por comparación entre el contenido de la memoria y una palabra binaria presentada a la entrada del dispositivo.

2) Según PERSISTENCIA de la información:

a) Referidos a la Tensión de Alimentación
i) PERENNES: la información almacenada no se pierde cuandose corta la alimentación.
ii) VOLÁTILES: la interrupción de la alimentación produce la pérdida de información.

b) Persistencia de la información tras la lectura
i) Lectura DESTRUCTIVA: (memorias de núcleo magnético): deben rescribirse luego de leerse.
ii) Lectura NO DESTRUCTIVA: (memorias semiconductoras)

3) Según Principio de FUNCIONAMIENTO:

a) ESTÁTICA:elemento biestable que puede mantenerse en uno de sus dos estados estables durante todo el tiempo que esté alimentado (Disipa potencia en forma constante)
b) DINÁMICA: la información se almacena como carga eléctrica en una capacidad. La degradación que se produce se compensa por medio de CICLOS DE REFRESCO (a intervalos regulares). Sólo disipa potencia durante el momento de acceso (lectura/escritura) o del refresco. Ocupan menos espacio que las estáticas.

4) Según TIPO DE TECNOLOGÍA USADA:

a) BIPOLARES:
• No pueden ser dinámicas (no tienen la capacidad parásita requerida)
• No muy alta capacidad (celda básica de gran tamaño y alta disipación de potencia).
• Muy rápidas.

b) MOS: (Metal Oxide Semiconductor)
• Constituidas porFET’S. Pueden ser dinámicas
• Más lentas que las bipolares
• Poca disipación de potencia
c) CCD (Charge Coupled Device)
Integra elementos estructurales en forma de registros de desplazamiento. Principio de funcionamiento: almacenar una carga (constituida por portadores minoritarios) en un “ pozo” de potencial, produciendo luego el desplazamiento de esos portadores...
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