Sistemas de Memoria
Páginas: 17 (4140 palabras)
Publicado: 3 de febrero de 2014
SISTEMAS DE MEMORIA
1. Introducción
Los sistemas digitales tienen la ventaja sobre los analógi cos de poder almacenar fácilmente grandes cantidades de informa ción digital durante periodos de tiempo largos o cortos, de esto nace la adaptabilidad de los mismos a toda clase de situaciones, y por eso su campo de aplicación es cada vez mayor.
Dicho almacenamiento se realiza en los diversostipos de memorias existentes, las cuales se construyen en su mayoría de ele mentos semiconductores (del tipo bipolares y MOS) y donde gracias a las tecnologías LSI (alta escala de integración) y VLSI (muy alta escala de integración), se dispone de circuitos integrados que poseen grandes cantidades de elementos de este tipo en forma de FF, los cuales se usan extensamente por su alta velocidad deoperación.
Las memorias de semiconductores se usan como la memoria prin cipal interna de una computadora, donde se requiere de alta velocidad. Esta memoria se comunica constantemente con la unidad cen tral de procesamiento (CPU) mientras esta ejecuta algún programa, pues el mismo así como los datos, se encuentran en ella. Entre sus funciones se destaca lo siguiente:
La memoria contiene los programasque se ejecutan en el computador o sistema programado, y los datos sobre los que trabajan dichos programas.
La memoria es un elemento sencillo, sin embargo, presenta una gran diversidad de tipos, tecnologías, estructuras, prestaciones y costos.
Un computador dispone de una jerarquía de elementos de memoria donde algunos están localizados internamente en el propio microprocesador, y otros estánlocalizados externamente.
2. Definiciones y conceptos
Celda de memoria: circuito eléctrico utilizado para almacenar un solo bit, puede ser un FF o un capacitor.
Byte: Este es un término muy común y que representa un grupo de 8 bits.
Palabra de memoria: Grupo de bits o celdas en una memoria y que representan datos o instrucciones de algún tipo. Usualmente se especifica una palabra comouna agrupación de 16 bits (2 bytes), también hay dobles palabras (Double-Word) de 32 bits o palabras cuádruples (Quad-Word) de 64 bits.
Dirección: Es un número que identifica la localidad de una pa labra en la memoria. Cada palabra almacenada posee una única dirección. Esta Dirección se suele dar con un número binario, aunque por facilidad se hace en octal o hexadecimal.
Operación de lectura:Es el proceso en el cual la palabra bi naria de cierta dirección de memoria es captada y transferida a otro dispositivo. Se le conoce también como extracción (fetch).
Operación de escritura: Proceso en el cual se coloca una pala bra en cierta posición de memoria. Siempre que se escribe una pa labra nueva, esta reemplaza a la que estaba con anterioridad.
Tiempo de acceso: Es una medida de lavelocidad del dispositi vo, es el tiempo requerido para realizar una operación de lectura, en el caso de una memoria en general, es el tiempo transcurrido entre la estabilización de la dirección y la obtención o grabación del dato. En otros tipos de almacenamiento, es el tiempo requerido para situar el mecanismo de lectura/escritura en la posición requerida. Suele ser muy pequeño en algunos casos(nanosegundos) y se simboliza como T acc.
Dispositivos de memoria estática: memorias de semiconductores donde los datos almacenados se quedan permanentemente en tanto se aplique energía, no se necesita reescribir periódicamente los da tos.
Dispositivos de memoria dinámica: En estos se necesita reescri bir los datos porque de otra forma se pierden, aún con la energía aplicada.
Memoriavolátil: Es la memoria que requiere el suministro de energía para almacenar la información, cuando se retira la energía los datos se pierden. Muchas de las memorias de semiconductores son volátiles mientras que las memorias del tipo magnético no lo son.
2.1. Requisitos de las memorias
Un sistema de memoria debe disponer de los siguientes elementos:
Medio o soporte. Deberá disponer de un...
1. Introducción
Los sistemas digitales tienen la ventaja sobre los analógi cos de poder almacenar fácilmente grandes cantidades de informa ción digital durante periodos de tiempo largos o cortos, de esto nace la adaptabilidad de los mismos a toda clase de situaciones, y por eso su campo de aplicación es cada vez mayor.
Dicho almacenamiento se realiza en los diversostipos de memorias existentes, las cuales se construyen en su mayoría de ele mentos semiconductores (del tipo bipolares y MOS) y donde gracias a las tecnologías LSI (alta escala de integración) y VLSI (muy alta escala de integración), se dispone de circuitos integrados que poseen grandes cantidades de elementos de este tipo en forma de FF, los cuales se usan extensamente por su alta velocidad deoperación.
Las memorias de semiconductores se usan como la memoria prin cipal interna de una computadora, donde se requiere de alta velocidad. Esta memoria se comunica constantemente con la unidad cen tral de procesamiento (CPU) mientras esta ejecuta algún programa, pues el mismo así como los datos, se encuentran en ella. Entre sus funciones se destaca lo siguiente:
La memoria contiene los programasque se ejecutan en el computador o sistema programado, y los datos sobre los que trabajan dichos programas.
La memoria es un elemento sencillo, sin embargo, presenta una gran diversidad de tipos, tecnologías, estructuras, prestaciones y costos.
Un computador dispone de una jerarquía de elementos de memoria donde algunos están localizados internamente en el propio microprocesador, y otros estánlocalizados externamente.
2. Definiciones y conceptos
Celda de memoria: circuito eléctrico utilizado para almacenar un solo bit, puede ser un FF o un capacitor.
Byte: Este es un término muy común y que representa un grupo de 8 bits.
Palabra de memoria: Grupo de bits o celdas en una memoria y que representan datos o instrucciones de algún tipo. Usualmente se especifica una palabra comouna agrupación de 16 bits (2 bytes), también hay dobles palabras (Double-Word) de 32 bits o palabras cuádruples (Quad-Word) de 64 bits.
Dirección: Es un número que identifica la localidad de una pa labra en la memoria. Cada palabra almacenada posee una única dirección. Esta Dirección se suele dar con un número binario, aunque por facilidad se hace en octal o hexadecimal.
Operación de lectura:Es el proceso en el cual la palabra bi naria de cierta dirección de memoria es captada y transferida a otro dispositivo. Se le conoce también como extracción (fetch).
Operación de escritura: Proceso en el cual se coloca una pala bra en cierta posición de memoria. Siempre que se escribe una pa labra nueva, esta reemplaza a la que estaba con anterioridad.
Tiempo de acceso: Es una medida de lavelocidad del dispositi vo, es el tiempo requerido para realizar una operación de lectura, en el caso de una memoria en general, es el tiempo transcurrido entre la estabilización de la dirección y la obtención o grabación del dato. En otros tipos de almacenamiento, es el tiempo requerido para situar el mecanismo de lectura/escritura en la posición requerida. Suele ser muy pequeño en algunos casos(nanosegundos) y se simboliza como T acc.
Dispositivos de memoria estática: memorias de semiconductores donde los datos almacenados se quedan permanentemente en tanto se aplique energía, no se necesita reescribir periódicamente los da tos.
Dispositivos de memoria dinámica: En estos se necesita reescri bir los datos porque de otra forma se pierden, aún con la energía aplicada.
Memoriavolátil: Es la memoria que requiere el suministro de energía para almacenar la información, cuando se retira la energía los datos se pierden. Muchas de las memorias de semiconductores son volátiles mientras que las memorias del tipo magnético no lo son.
2.1. Requisitos de las memorias
Un sistema de memoria debe disponer de los siguientes elementos:
Medio o soporte. Deberá disponer de un...
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