Solo Ensay
Páginas: 14 (3337 palabras)
Publicado: 24 de mayo de 2012
-------------------------------------------------
Capítulo 6:
-------------------------------------------------
Transistores de efecto de campo.
6.1Introducción:
El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales que se utilizan en varias aplicaciones que coincide, en gran parte, con las del transistor BTJ. Existen diferencias y semejanzas entre los dos dispositivos.
Eltransistor BTJ es un dispositivo controlado por corriente como se ilustra en la figura en tanto que el transistor JEFET es controlado por voltaje.
En otras palabras la corriente Ic es una función directa del nivel de Is. para el FET la corriente Ip será una función de voltaje VGE aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura. En cada caso de la corriente del circuito de salida lacontrola un parámetro de circuito de entrada: en un caso un nivel de corriente, y en otro nivel de voltaje aplicado.
Así como hay transistores bipolares npm y pnp, también existe transistores de efecto de campo de canal n y de canal p.es importante tener en cuenta del transistor BTJ es un dispositivo bipolar, el prefijo “bi” indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores decarga, electrones y huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende no solo de la conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos (canal p).
Una de las características más importantes del FET es su alta impedancia de entrada. Por otra parte las ganancias de voltaje de corriente alterna típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que para los FET. Los FET son masestables a la temperatura que los BJT, en general son mas pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de CI.
6.2 Construcción y características de los JFET.
EL JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. La construcción básica del JFET se muestra acontinuación:
La parte principal de la estructura del JFET es del material tipo “n” el cual forma el canal entre las capas incrustadas del material tipo “p”.
VGS= 0 v, VDS algún valor positivo
Se aplica un voltaje positivo VDS a través del canal y la compuerta está conectada directamente a la fuente para establecer la condición VGS= 0 v
Es importante observar que la región deempobrecimiento es más ancha cerca de la parte superior de ambos materiales tipo “p” la razón del cambio del ancho de la región se escribe mejor con la ayuda de la sig. figura.
Si VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de empobrecimiento “se tocaran” se originaria una condición conocida como estrangulamiento.
VGS < 0 V
El voltaje de la compuerta a la fuente (Vg) es elvoltaje de control del JFET. El nivel de VJS que produce ID= 0 mA está definido por Vgs =Vp, con Vp convirtiéndose en un voltaje negativo para dispositivos de canal de n y en voltaje positivo para JFET de canal p.
Resistor controlado por voltaje.
La región ala izquierda del lugar geométrico del estrangulamiento se conoce como región óhmica o de resistencia controlada por voltaje. En esta regiónel JFET se puede emplear como un resistor variable.
La siguiente ecuación es una buena primera aproximación al nivel de resistencia en función del voltaje aplicado Vgs.
Donde r0 es la resistencia con Vgs= 0 V y rd es la resistencia a un nivel particular de Vgs.
Dispositivos de canal p.
El JFET del canal p se construya exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal n con losmateriales p y n invertidos.
Simbolos.
6.3 Características de transferencia.
Derivación.
Para el transistor Vjt la corriente de salida Ic y la corriente de control de entrada Ib están relacionadas por beta, la cual se considera constante para el análisis que se va a realizar. En forma de ecuación.
En la ecuación anterior se da una relación lineal entre Ic e Ib. Desafortunadamente, esta...
Capítulo 6:
-------------------------------------------------
Transistores de efecto de campo.
6.1Introducción:
El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales que se utilizan en varias aplicaciones que coincide, en gran parte, con las del transistor BTJ. Existen diferencias y semejanzas entre los dos dispositivos.
Eltransistor BTJ es un dispositivo controlado por corriente como se ilustra en la figura en tanto que el transistor JEFET es controlado por voltaje.
En otras palabras la corriente Ic es una función directa del nivel de Is. para el FET la corriente Ip será una función de voltaje VGE aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura. En cada caso de la corriente del circuito de salida lacontrola un parámetro de circuito de entrada: en un caso un nivel de corriente, y en otro nivel de voltaje aplicado.
Así como hay transistores bipolares npm y pnp, también existe transistores de efecto de campo de canal n y de canal p.es importante tener en cuenta del transistor BTJ es un dispositivo bipolar, el prefijo “bi” indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores decarga, electrones y huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende no solo de la conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos (canal p).
Una de las características más importantes del FET es su alta impedancia de entrada. Por otra parte las ganancias de voltaje de corriente alterna típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que para los FET. Los FET son masestables a la temperatura que los BJT, en general son mas pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de CI.
6.2 Construcción y características de los JFET.
EL JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. La construcción básica del JFET se muestra acontinuación:
La parte principal de la estructura del JFET es del material tipo “n” el cual forma el canal entre las capas incrustadas del material tipo “p”.
VGS= 0 v, VDS algún valor positivo
Se aplica un voltaje positivo VDS a través del canal y la compuerta está conectada directamente a la fuente para establecer la condición VGS= 0 v
Es importante observar que la región deempobrecimiento es más ancha cerca de la parte superior de ambos materiales tipo “p” la razón del cambio del ancho de la región se escribe mejor con la ayuda de la sig. figura.
Si VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de empobrecimiento “se tocaran” se originaria una condición conocida como estrangulamiento.
VGS < 0 V
El voltaje de la compuerta a la fuente (Vg) es elvoltaje de control del JFET. El nivel de VJS que produce ID= 0 mA está definido por Vgs =Vp, con Vp convirtiéndose en un voltaje negativo para dispositivos de canal de n y en voltaje positivo para JFET de canal p.
Resistor controlado por voltaje.
La región ala izquierda del lugar geométrico del estrangulamiento se conoce como región óhmica o de resistencia controlada por voltaje. En esta regiónel JFET se puede emplear como un resistor variable.
La siguiente ecuación es una buena primera aproximación al nivel de resistencia en función del voltaje aplicado Vgs.
Donde r0 es la resistencia con Vgs= 0 V y rd es la resistencia a un nivel particular de Vgs.
Dispositivos de canal p.
El JFET del canal p se construya exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal n con losmateriales p y n invertidos.
Simbolos.
6.3 Características de transferencia.
Derivación.
Para el transistor Vjt la corriente de salida Ic y la corriente de control de entrada Ib están relacionadas por beta, la cual se considera constante para el análisis que se va a realizar. En forma de ecuación.
En la ecuación anterior se da una relación lineal entre Ic e Ib. Desafortunadamente, esta...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.