tecnicas de laboratorio

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 1

CARACTERÍSTICA I – V DEL DIODO DE UNION



Juan Camilo Caicedo España Cod.20131115407Paloma Andrea Tarazona Sánchez Cod.20122112933



OBJETIVOS

Aprender mediante las mediciones, si el diodo está en óptimo funcionamiento o está dañado.
Aprender el funcionamiento de un diodocuando esta polarizado en Directo o por el contrario en Inverso.
Observar los efectos en el diodo al aumentar su temperatura.




JUSTIFICACION


Este Informe que corresponde a la Practica 1de laboratorio de Electrónica Analógica, se realiza para reconocer los resultados de la práctica correspondiente al diodo de silicio, su característica de voltaje y corriente, junto a los efectos dela temperatura sobre este.










MARCO TEORICO
Diodo
Componente Electrónico semiconductor que conduce corriente en un solo sentido con múltiples aplicaciones en DC (Compuertaslógicas, Regulador de voltaje) y en AC (Rectificador, Recortador, Restaurador de Tensión, Multiplicador).
Polarización Inversa
La polarización inversa elimina todo el flujo de portadores mayoritarios,permitiendo que crucen la unión solo portadores minoritarios y produciendo una pequeña corriente inversa.
Polarización Directa
Con la polarización Directa, se reduce la barrera de potencial y permiteuna mayor difusión de portadores mayoritarios a través de la unión. Los valores típicos de polarización directa que se requieren para lograr esto son de 0.3 V para el germanio y de 0.7 V para elsilicio; éstos son precisamente los valores de las barreras de potencial en estos materiales.
Impurezas Tipo P
Los materiales de impurificación que agregan huecos al semiconductor se denominan impurezastipo P, debido a que agregan portadores positivos.
Impurezas Tipo N
Los materiales de impurificación que agregan electrones libres al semiconductor se denominan impurezas tipo N, debido a que...