Tecnicas de manufactura

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TECNICAS DE MANUFACTURA
El primer paso es obtener materiales semiconductores como el germanio o el silicio, requieren niveles de impureza menores que una parte por billón. Las materias primas sesometen primero a una serie de reacciones químicas para formar un cristal poli cristalino del nivel de pureza requerido. Los átomos de cristal están en forma desordenada, en tanto que un simple cristalque se busca se arregla en una red geométrica, uniforme y simétrica.
El aparato para el refinado, se compone de un recipiente de grafito o cuarzo, un contenedor de cuarzo y un grupo de bobinas deinducción de RF. Ya sea el recipiente o las bobinas deben ser móviles a lo largo del contenedor de cuarzo.

El interior del contenedor de cuarzo se llena con un gas inerte, para reducir aun mas laposibilidad de contaminación. En el proceso de refinamiento de zonas se coloca una barra de germanio en el recipiente con las bobinas. Después se aplica a la bobina la señal de radio frecuencia, quereducirá un flujo de carga en el lingote de germanio. La corriente aumenta hasta que se desarrolla una cantidad de calor suficiente para fundir esa región del material semiconductor.
El resultado neto esque un gran porcentaje de las impurezas aparecerá en el extremo derecho de la barra semiconductora. Esta parte puede cortarse y repetirse hasta que haya logrado el nivel de impurezas que se desea.La operación final es la formación de un mono cristal de germanio o silicio. Se puede llevar a cabo mediante el proceso de Czochralski o la de la zona flotante. El material mono cristalino setransforma primero al estado fundido mediante las bobinas. Un mono cristal “semilla” se sumerge en el germanio fundido y se retira en forma gradual mediante se gira lentamente el eje que sostiene a la semilla.Conforme se retira crecerá sobre la semilla. Los lingotes resultantes mono cristalinos miden por lo general de 6 a 36 in de largo y de 1 a 5 in de diámetro. El peso de una estructura de estas...
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