tecnologia

case "a": mensaje = " es vocal minucula";
break;
case "A": mensaje = "si es vocal MAYUCULLA";
break;
case "e": mensaje = "si es vocal";
break;
case "E": mensaje = "si es vocal";
break;
case "i": mensaje = "si es vocal";
break;

case "I": mensaje = "si es vocal";
break;case "o": mensaje = "si es vocal";
break;
case "O": mensaje = "si es vocal";
break;
case "u": mensaje = "si es vocal";
break;
case "U": mensaje = "si es vocal";
break;
default: mensaje = "no es vocal";
break;

1 nucleo magnético 1949-1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo decircuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funcionesde memoria principal con o sin acceso aleatorio.
2 En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores desilicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria
3 y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significóel principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones dememoria.MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines,mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas baseo se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcciónmodular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos ydejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de lastarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que serealizaron una serie de mejoras en el direccionamiento.

La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asíncronas. Hace más de una década toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya quepermiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz.






Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

MEMORIA RAM
DESCRIPCION
AÑO
CARACTERISTICAS
núcleo magnético
Uno de los...