Tiristores

TRANSISTORES DE POTENCIA

PRESENTADO POR

HERNAN ARIAS DE LA CRUZ

ERICK CASTRO ALEMAN

ANDREW HUDGSON MARTINEZ

PRESENTADO AL INGENIERO

FARID MELENDEZ PERTUZ EN LA ASIGNATURA DE

ELECTRÓNICA III

CORPORACIÓN UNIVERSITARIA DE LA COSTA CUC

FACULTAD DE INGENIERÍA

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

BARRANQUILLA – ATLÁNTICO

18 SEPTIEMBRE 2009

INTRODUCCIÓN

En elconstante desarrollo de la electrónica se han implementado cada vez una gran cantidad de dispositivos que realizan mayor cantidad de operaciones que otros, debido a su complejidad, estos generan mayores beneficios y en algunas ocasiones (por no decir siempre) son de mayor precio pero determinan mayor confiabilidad y calidad. En el caso de los dispositivos como transistores se han ido desarrollando dediferentes propósitos los cuales han ido reemplazando a algunos otros por modelos más poderosos por así decirlo.

Con los Transistores de Potencia que tienen características controladas de encendido y apagado se han ido implementando cada vez mejores dispositivos para ciertos casos y además con ciertas características que soportan mayor voltaje y deja fluir mayor corriente, entre otrosparámetros.

Teniendo en cuenta diversos funcionamientos y aplicaciones en el área de la electrónica y a otros aspectos, podemos observar que entre los transistores de potencia más conocidos tenemos a:

Transistores bipolares de unión (BJT)
Transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET)
Transistores de inducción estática (SIT)
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)EL TRANSISTOR DE POTENCIA

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
• bipolar.
• unipolar o FET (Transistor de Efecto deCampo).
• IGBT.
|Parámetros |MOS |Bipolar |
|Impedancia de entrada |Alta (1010 ohmios) |Media (104 ohmios) |
|Ganancia en corriente |Alta (107) |Media (10-100)|
|Resistencia ON (saturación) |Media / alta |Baja |
|Resistencia OFF (corte) |Alta |Alta |
|Voltaje aplicable |Alto (1000 V) |Alto (1200 V) |
|Máximatemperatura de operación |Alta (200ºC) |Media (150ºC) |
|Frecuencia de trabajo |Alta (100-500 Khz) |Baja (10-80 Khz) |
|Coste |Alto |Medio |

PRINCIPIOS BÁSICOS DEFUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructurainterna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
• En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.
• En un FET, la...