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Informe de Electrónica:
Taller De Transistores.





Nombre De Los Integrantes: Gabriel González – Fernando Villablanca.

Nombre Del Profesor: Arthur Partarrieu Ibáñez.Asignatura: Electrónica I.

Fecha De Entrega: Miércoles 11 – Abril – 2012.
Índice.

Introducción.
3


Información Del Transistor.
4


Curva De Isopotencia.
6


Pruebas Realizadas:Ejercicio 1.



Pruebas Realizadas: Ejercicio 2.



Pruebas Realizadas: Ejercicio 3.



Conclusiones.



Bibliografía.













Introducción.Información Del Transistor.

Un transistor es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existe una granvariedad de transistores, en principio se explicarán los bipolares. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio oArseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan enforma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P deaceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración deuniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismotipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).






Transistor.


BC 107.

BC...