trabajo
Difusión
Difusión ‐
if ió
Fenómeno de transporte de masa por movimiento
atómico
Mecanismos
• Gases y Líiquidos – movimiento aleatorio (Browniano)
Gases y Líiquidos
• Sólidos – difusión por vacancias o difusión intersticial.
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Difusión en sólidos
• Interdifusión o difusión de impurezas: Los átomos de un metal difunden en el otro.
g
g
j
Los átomosmigran de las regiones de alta concentración a la de baja concentración.
Inicial
Perfiles de concentración
Perfiles de concentración
Después de un tiempo
Perfiles de concentración
Perfiles de concentración
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Autodifusión
• Autodifusión: En metales puros, los átomos del mismo tipo puede intercambiar
Posiciones. No puede observarse por cambios de composición.
Átomosetiquetados
Después de un tiempo
C
C
D
A
A
D
B
B
A nivel atómico, la difusión consiste en la migración de los átomos de un sitio de la red a otro.
En los materiales sólidos, lo átomos están en continuo movimiento.
La movilidad atómica requiere 2 condiciones:
La movilidad atómica requiere 2 condiciones:
1) un lugar vecino vacío
2) el átomo debe tener suficiente enrgíacomo para rompere los enlaces con los
átomos vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento.
y
p
A una temperatura determinada una pequeña fracción del número total de átomos es capaz
De difundir debido a la magnitud de su energía vibratoria.
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Mecanismos de difusión
•Difusión por vacancias
•Difusión intersticial
Difusión por vacancias
• intercambio de un átomo de una posiciónreticular normal a una vacancia
o lugar reticular vecino vacío
vacío.
• applies to substitutional impurities atoms
• la tasa depende de:
--número de vacancias
número
--la energía de activación para el intercambio.
Aumento del tiempo transcurrido
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Simulación de la difusión
de la difusión
• Interdifusión a través
De una interfaz
• La tasa de difusión substitucional
depende de:--concentración d vacancias
t ió de
i
--frecuencia de saltos.
El movimiento de los átomos en la difusión va en sentido opuesto al de las vacancias.
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• Difusión intersticial –átomos que van desde una posición
intersticial a otra vecina desocupada.
• Tiene lugar por interdifusión de solutos que tiene átomos
pequeños (
ñ (como H C N O)
H, C, N, O) .
Es más rápida que ladifusión por vacancias
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Procesos que usan difusión
•E d
Endurecimiento:
i i t
-Átomos de carbono se
difunden a la superficie
--Ejemplo: engranes de acero
• Resultado: la presencia de átomos de C
hacen que el hierro (acero) sea más duro.
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Procesos que usan difusión
Procesos que usan difusión
• Dopar silicio con fósforo para tener semiconductores tipo n
0.5
0 5 mm
1. Sedepositan capas ricas
en P sobre la superficie
superficie.
magnified image of a computer chip
silicon
2. Se calienta
3. Resultado: Regiones del
Semiconductor dopadas
silicon
light regions: Si atoms
light regions: Al atoms
g
g
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Cuantificación
• Cómo cuantificamos la tasa de difusión?
moles (or mass) diffusing mol
kg
J Flux
or
2
surface area time
cm sm2s
• M di i
Mediciones empíricas
íi
– Hacer una película delgada (membrana) con área superficial conocida
– Imponer un gradiente de concentración
– Medir qué tan rápido los átomos o moléculas se dufunden a través de
la membrana.
Flujo J M l dM
l
At A dt
M=
mass
diffused
J slope
time
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Difusión en estado estacionarioCondición de estado estacionario: el flujo de difusión no cambia con el tiempo
Flujo proporcional al gradiente de concentración =
C1 C1
dC
dx
Primera ley de Fick:
C2
x1
x
C2
x2
dC C C2 C1
si es lineal
dx x
x2 x1
dC
J D
dx
D coeficiente de difusión [m2/s]
La dirección de difusión es contraria
Al gradiente de concentración:
Al
di t d
t ió
Va de alta a baja concentración
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