Transistor

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  • Publicado : 25 de junio de 2010
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1. Polarización de transistores bipolaresObjeto de la práctica
2. Elementos de circuito e instrumentos a utilizar
3. Circuitos a utilizar
4. Análisis teórico
5. Valores Medidos
6. Comportamiento con respecto a la variación de la temperatura
7. Cálculo de la desviación relativa de la muestra
8. Conclusiones
9. Cuestionario
1. Encontrar el circuito de polarización más estable en función dela dispersión del HFE de los transistores de un mismo tipo (debido a las tolerancias en la fabricación), y a la variación de la temperatura ambiente. Se compararán los tres circuitos de polarización más utilizados; utilizando 5 muestras de transistores que representan las dispersiones típicas en la fabricación, que existirán entre ellos.
Para facilitar la comparación se confeccionarán tablas yademás se calcularan los valores de dispersión relativa de los parámetros fundamentales para la determinación del punto Q, los cuales también serán llevados a una tabla para facilitar su comparación.
2. Objeto de la práctica:
a. Fuente de Tensión: Leader LPS-164A (n de serie 7080107)
i. YFE-YF-3502 (n de serie 041101287)
ii. Beckman Industrial DM27XL (n de serie 20802482)
b. Tester:
c.Resistores: 1M5, 1M2, 4k7, 180k, 100k 3k3, 1k2.
d. Transistor PNP 2SA733
e. Termómetro de contacto con indicador digital.
f. Calefactor portatil
g. Protoboard
3. Elementos de circuito e instrumentos a utilizar:
4. Circuitos a utilizar:

IBQ constante o polarización fija (Cto.1) Realimentación por colector(Cto.2)

Polarización por divisor de tensión (Cto.3)
4. Análisis teórico:5. Valores Medidos:
HFE:
• Muestra 1: 177
• Muestra 2: 199
• Muestra 3: 223
• Muestra 4: 244
• Muestra 5: 272
Resistores:
Circuito 1
• RB= 1,537 MΩ
• RC= 4,71 KΩ
Circuito 2
• RB= 1,276 MΩ
• RC= 4,74 KΩ
Circuito 3
• R1= 98,9 KΩ
• R2= 182,3 KΩ
• RC= 1,187 KΩ
• RE= 3,19 KΩ
TABLAS
NOTA: se utilizará la técnica de cálculo en lugar de medición directa para las corrientes enfunción de los instrumentos que posee el laboratorio y también evitar los errores sistemáticos de carga de la R interna del voltímetro. Así IB, en las dos primeras figuras se calculará como IB =(VCC-VBEQ)/RB y IB =(VCEQ-VBEQ)/RB; donde la RB se medirá con el óhmetro digital; en general las mediciones tendrán una exactitud mejor que el 1%, lo cual es perfectamente aceptable, considerando que lastolerancias de los componentes será por lo menos 5 veces mayor.
El cálculo en el circuito de polarización por divisor será IB = IR1-IR2, donde IR1 =VR1/R1 y IR2 =VR2/R2.Para las IC será VRC/RC.
• Tabla 1
IBQ CONSTANTE
VALOR TEORICO VALOR PRACTICO
IBQ [μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE IBQ [μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE muestra n°
7,57 1,51 4,89 200 7,38 1,34 5,69 177 1
7,38 1,5 4,94 199 2
7,38 1,644,28 223 3
7,38 1,79 3,55 244 4
7,38 1,99 2,61 272 5

• Tabla 2
REALIMENTACION POR COLECTOR
VALOR TEORICO VALOR PRACTICO
IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE muestra n°
6,71 1,34 8,7 200 6,4 1,25 9,1 177 1
5,98 1,33 8,69 199 2
5,78 1,4 8,36 223 3
5,58 1,47 8,03 244 4
5,26 1,55 7,6 272 5

• Tabla 3
POLARIZACION POR DIVISION DE TENSION ENLA BASE
VALOR TEORICO VALOR PRACTICO
IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE muestra n°
9,75 1,95 3,23 200 11,04 1,98 3,33 177 1
10,05 2,01 3,19 199 2
9,26 2,03 3,11 223 3
8,49 2,05 3,04 244 4
7,71 2,06 2,96 272 5

1. Comportamiento con respecto a la variación de la temperatura:
Se elegirá la muestra N° 1,para todos los circuitos de polarización y seprocederá a elevar la temperatura ambiente; midiendo con el termómetro de contacto la temperatura del cuerpo del transistor para verificar cuando se llega a una temperatura de aproximadamente 90°C. Se tratará de mantener la misma constante durante el tiempo necesario para medir los valores del punto Q, a ésta Tf; luego se volcarán los valores en la tabla N°4, y sé graficará el corrimiento del punto...
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