transistor

TRANSISTOR.
El Transistor es un componente electrónico formado por materiales semiconductores, de uso muy habitual pues lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc. 
Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:
   - Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una pequeña señal demando. Como Interruptor.
   - Funciona como un elemento Amplificador de señales.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. 

Funcionamiento del transistor.

   Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:
   - En activa : deja pasar mas o menos corriente.

   - En corte: no deja pasar la corriente.

   - En saturación: deja pasar todala corriente.

TRANSISTOR BIPOLAR.
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de granutilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como unmetal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

Los transistores están formados por la unión de tres cristales semiconductores, dos del tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N y uno del P (transistores NPN)
NPN.
En el NPN lacorriente entra por el colector y sale por el emisor, al revés. Si te fijas en la flecha la flecha "no pincha a la base". Según la regla NPN = no pincha (la N del NPN). Con esta regla te acordarás mu fácilmente si el símbolo es de un PNP o NPN. Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.

PNP
La principal diferencia es que en el PNP la corriente de salida (entre el emisor y colector) entra por el emisor ysale por el colector. Fíjate que la flecha en el símbolo "pincha a la base". Una regla para acordarse es que el PNP pincha (la p del principio).

TRANSISTOR UNIPOLAR O FET.
El transistor unipolar está formado por una sola capa de semiconductor de tipo n sobre un substrato de tipo p−. Se distingue el canal cuyo dopado es n− y las conexiones al exterior, drenador y surtidor, que son material dopadode tipo n+. Encima del canal, que conecta drenador y surtidor, se ha difundido una capa adicional de tipo p. Las zonas dopadas tipo p se conectan conjuntamente y se llaman puerta. El drenador del JFET es equivalente al colector del BJT, el emisor al surtidor y la puerta a la base.

Fig. A.3.1: Transistor JFET (a) canal N y (b) su símbolo y (c) canal P y (d) su símbolo.
El MOSFET es un dispositivode cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que esequivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido.
Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La...