Transistores Bjt

Transistor

Dispositivo compuesto de un material semiconductor que amplifica una señal o abre o cierra un circuito. Inventado en 1947 en Bell Labs.

Los transistores cumplen las funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Transistores FET

Transistores de efecto de campo
Clasificación:
• Transistor de Efecto de Campo de Unión:
JFET (JunctionField Effect Transistor)
• Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Características

• Son dispositivos controlados por tensión.
• En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directoentre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
• De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
• Los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo deportadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
• Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megaóhmios
• En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en construcción que los BJT, lo que les haceparticularmente útiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
• Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET.

Simbología

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