Transistores BJT

PRACTICA No 4 TRANSISTOR BJT

OBJETIVOS
Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento depende del tipo de configuración de polarización en que se conecte.OBJETIVOS PARTICULARES
• Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)
• Analizar el funcionamiento del transistor en configuración base común.
• Trabajar el transistorbipolar NPN y PNP como conmutador con niveles lógicos.

INTRODUCCIÓN
El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura 1:
Figura 1 Zonas que conforman al transistorLa zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el
"Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el Colectorposee una impurificación intermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque también podría ser un PNP.




La zona superior es el "Colector", la zona central es la"Base" y la zona inferior es el
"Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia.
En este ejemploconcreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque también podría ser un PNP.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisor y la base y la otra entre labase y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados:
"Diodo de emisor" y "Diodo de colector". Eltransistor NPN, primeramente cuando está sin polarizar se produce una "Difusión", donde los electrones cruzan de la zona N a la zona P, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan.






Esto haceque en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos.
Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial de a 0.7 V...